发明授权
- 专利标题： 双极结型晶体管
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申请号： CN201110342757.5申请日： 2011-11-03
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公开(公告)号： CN102842605B公开(公告)日： 2016-01-20
- 发明人: 范盛宏 , 胡楚威 , 林建志 , 邱志钟 , 曾峥 , 曹卫立
- 申请人： 联发科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- 专利权人： 联发科技股份有限公司
- 当前专利权人： 联发科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号
- 代理机构： 北京万慧达知识产权代理有限公司
- 代理商 于淼; 张一军
- 优先权： 13/164,744 2011.06.20 US
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/73
摘要：
本发明公开一种双极结型晶体管，其包括射极区、基极区、位于所述射极区与所述基极区之间的第一隔离区、位于所述第一隔离区上且与所述射极区至少部分的外围重叠的栅极、集极区、以及位于所述基极区与所述集极区之间的第二隔离区。本发明所公开的双极结型晶体管，通过在第一隔离区上设置栅极，对射极区而言，可减轻金属硅化物侵蚀主动区域边缘的现象。
公开/授权文献
- CN102842605A 双极结型晶体管 公开/授权日：2012-12-26