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公开(公告)号：CN102842605B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110342757.5
申请日：2011-11-03
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/0692 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L29/732
摘要： 本发明公开一种双极结型晶体管，其包括射极区、基极区、位于所述射极区与所述基极区之间的第一隔离区、位于所述第一隔离区上且与所述射极区至少部分的外围重叠的栅极、集极区、以及位于所述基极区与所述集极区之间的第二隔离区。本发明所公开的双极结型晶体管，通过在第一隔离区上设置栅极，对射极区而言，可减轻金属硅化物侵蚀主动区域边缘的现象。
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公开(公告)号：CN103972215A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410045162.7
申请日：2014-02-07
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528
摘要： 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括金属垫与第一特定金属层布线。金属垫位于半导体装置的第一金属层之上。第一特定金属层布线形成于半导体装置的第二金属层之上，并直接位于金属垫之下。本发明所提供的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
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公开(公告)号：CN100420157C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN03103789.5
申请日：2003-02-19
申请人： 联发科技股份有限公司 , 汪重光
IPC分类号： H04B1/10
摘要： 本发明提供一种用于消除一对正交信号(Quadrature Signal)中的振幅差异(Amplitude Mismatch)和相位差异(Phase Mismatch)，来消除镜像干扰的方法。其中，该对正交信号包括一个同相信号(In-Phase Signal)和一个正交相位信号(Quadrature-Phase Signal)，该方法包括：将一部分的同相信号补偿至正交相位信号，使得补偿后的正交相位信号的相位与同相信号的相位相差九十度，来消除这对正交信号的相位差异，以及调整同相信号与正交相位信号的振幅到相同值，来消除这对正交信号的振幅差异。
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公开(公告)号：CN1523768A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03103789.5
申请日：2003-02-19
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H04B1/10
摘要： 本发明提供一种用于消除一对正交信号(Quadrature Signal)中的振幅差异(Amplitude Mismatch)和相位差异(Phase Mismatch)，来消除镜像干扰的方法。其中，该对正交信号包括一个同相信号(In－Phase Signal)和一个正交相位信号(Quadrature－Phase Signal)，该方法包括：将一部分的同相信号补偿至正交相位信号，使得补偿后的正交相位信号的相位与同相信号的相位相差九十度，来消除这对正交信号的相位差异，以及调整同相信号与正交相位信号的振幅到相同值，来消除这对正交信号的振幅差异。
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公开(公告)号：CN103972215B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410045162.7
申请日：2014-02-07
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528
摘要： 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括金属垫与第一特定金属层布线。金属垫位于半导体装置的第一金属层之上。第一特定金属层布线形成于半导体装置的第二金属层之上，并直接位于金属垫之下。本发明所提供的半导体装置，可有效缩小半导体装置的布线区域尺寸。
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公开(公告)号：CN102842605A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110342757.5
申请日：2011-11-03
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/0692 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L29/732
摘要： 本发明公开一种双极结型晶体管，其包括射极区、基极区、位于所述射极区与所述基极区之间的第一隔离区、位于所述第一隔离区上且与所述射极区至少部分的外围重叠的栅极、集极区、以及位于所述基极区与所述集极区之间的第二隔离区。本发明所公开的双极结型晶体管，通过在第一隔离区上设置栅极，对射极区而言，可减轻金属硅化物侵蚀主动区域边缘的现象。
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