发明授权
CN102844840B 指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入
失效 - 权利终止
- 专利标题： 指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入
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申请号： CN201180015641.9申请日： 2011-02-17
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公开(公告)号： CN102844840B公开(公告)日： 2015-08-05
- 发明人: 阿塔尔·古普塔 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
- 申请人： 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址： 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人： 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人： 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址： 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明; 张洋
- 优先权： 61/305,764 2010.02.18 US; 13/028,562 2011.02.16 US
- 国际申请： PCT/US2011/025291 2011.02.17
- 国际公布： WO2011/103323 EN 2011.08.25
- 进入国家日期： 2012-09-24
- 主分类号： H01L21/225
- IPC分类号： H01L21/225 ; H01L21/265 ; H01L21/266
摘要：
一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。
公开/授权文献
- CN102844840A 指叉型背面接触太阳能电池用的自我对准离子植入 公开/授权日：2012-12-26
IPC分类:
