发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201210226910.2申请日： 2012-06-29
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公开(公告)号： CN102856383B公开(公告)日： 2017-06-09
- 发明人: 朴兴圭 , 金男奎 , 宋宇彬 , 郑秀珍 , 金永弼 , 李炳讃 , 李善佶
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 翟然
- 优先权： 10-2011-0065545 20110701 KR
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06
摘要：
本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。
公开/授权文献
- CN102856383A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-01-02
IPC分类:
