发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201210337336.8申请日： 2008-12-22
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公开(公告)号： CN102856386B公开(公告)日： 2016-06-29
- 发明人: 一条尚生 , A.阿丹 , 成濑一史 , 键泽笃
- 申请人： 夏普株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市
- 专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人： 徐州仪阳电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 曲宝壮; 朱海煜
- 优先权： 2007-328818 2007.12.20 JP
- 分案原申请号： 2008101884220 2008.12.22
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要：
提供一种半导体器件和其制造方法,该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底（1）上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3),形成在该体区(3)内的N-型源区(6),形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8),形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12),形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区（3）的底部接触并在该阱区（2）内沿平行于该半导体衬底（1）表面的方向延伸到该漏区（8）下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。
公开/授权文献
- CN102856386A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2013-01-02
IPC分类:
