公开(公告)号：CN107667422A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680027806.7

申请日：2016-02-22

申请人： 夏普株式会社

发明人： 仲嶋明生 ,  一条尚生

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H02M7/48 ,  H03K19/003

CPC分类号： H03K17/082 ,  H01L21/822 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L27/04 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H02M7/003 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/107 ,  H03K17/567 ,  H03K19/003 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

摘要： 提供低导通电阻且负荷短路时的耐受性高的复合型半导体装置。在具备互相级联的常通型第一FET(Q1)及常断型第二FET(Q2)的复合型半导体装置(10)中，在对第一FET(Q1)的漏极施加的电压为400V的情况下，设从连接于复合型半导体装置(10)的负荷的短路开始的时间点的经过时间为短路后经过时间T；设第二FET的导通电阻的值为RonQ2，所述第一FET的阈值电压为VTHQ1，在所述第一FET的栅极电压为0V的时候，所述第一FET的饱和状态下之所述第一FET的漏极电流为Idmax1；短路后经过时间T≧2μsec的期间，限制成在防止所述第一FET的破坏程度内的漏极电流为Idmax的时候满足以下数学式的关系。

公开(公告)号：CN102856386B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210337336.8

申请日：2008-12-22

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生 ,  A.阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

摘要： 提供一种半导体器件和其制造方法,该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底（1）上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3),形成在该体区(3)内的N-型源区(6),形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8),形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12),形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区（3）的底部接触并在该阱区（2）内沿平行于该半导体衬底（1）表面的方向延伸到该漏区（8）下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN105097909B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201510218776.5

申请日：2015-04-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 鞠山满 ,  松本浩司 ,  泽井敬一 ,  铃木成次 ,  一条尚生

IPC分类号： H01L29/747

摘要： 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。

公开(公告)号：CN106796890A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580050470.1

申请日：2015-06-10

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 在俯视图中栅极电极连接配线(85)定义大致矩形的区域(30)，该区域(30)包括栅极电极(13)的全部且具有长边和短边，将该栅极电极连接配线(85)与栅极电极焊盘(87)连接的上述栅极电极连接配线(85)中的连接部(88)位于上述大致矩形的上述区域(30)的上述长边侧。

公开(公告)号：CN104241435A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410263931.0

申请日：2014-06-13

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生 ,  鞠山满

IPC分类号： H01L31/111 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H03K17/78

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1113 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/125 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明提供双向光控晶体闸流管芯片、光触发耦合器和固态继电器。在半导体芯片的表面具备第一光控晶体闸流管部和第二光控晶体闸流管部，各光控晶体闸流管部具有PNPN部，该PNPN部包括：一种导电类型的阳极扩散区域；另一种导电类型的衬底；一种导电类型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内形成的另一种导电类型的阴极扩散区域，切割面与控制极扩散区域的距离为400μm以下。这样，将在导通时在第一光控晶体闸流管部侧产生的少数载流子，在迁移之前回收到第一光控闸流管部侧的切割面。其结果，能够不形成肖特基势垒二极管或沟道分离区域，而大幅提高整流特性，能够抑制芯片面积的增大，用1个芯片进行光触发来控制负载。

公开(公告)号：CN101465378B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200810188422.0

申请日：2008-12-22

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生 ,  A·阿丹 ,  成濑一史 ,  键泽笃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

摘要： 提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底(1)上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3)，形成在该体区(3)内的N-型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

公开(公告)号：CN102074578B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201010537539.2

申请日：2010-11-05

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生 ,  A·阿丹

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

摘要： 本发明涉及一种能在不使导通电阻增大的情况下使高耐压化实现的半导体装置。在P型半导体衬底(1)内具备：P型体区(3)、相对于P型体区(3)在与衬底面平行的方向上离开形成的N型漂移区(5)、形成于N型漂移区内的由场氧化膜(11)分离的区域的比N型漂移区(5)浓度高的N型漏极区(8)、以及形成于P型体区(3)内的比N型漂移区(5)浓度高的N型源极区(6)。而且，以与P型体区(3)的一部分底面离散地连结并且分别在与衬底面平行的方向延伸、各前端达到漂移区(5)内的方式，形成有比N型漂移区(5)浓度高的P型埋入扩散区(4)。

公开(公告)号：CN101677109B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200910173163.9

申请日：2009-09-14

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66681

摘要： 本发明提供一种能够防止垂直于源-漏方向上的耐压低下的、能够增大对于过电压、过电流的耐性的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置包括P型半导体基板(201)、N型扩散区域(202)、在N型扩散区域(202)内形成的P型主体区域(206)、在N型扩散区域(202)内形成的P型埋入扩散区域(204)、在P型主体区域(206)内形成的N型源区域(208)和P型主体接触区域(209)、在N型扩散区域(202)内形成的N型漂移区域(207)、在N型漏区域(207)内形成的N型漏区域(210)、在P型主体区域(206)上形成的栅绝缘膜和在该栅绝缘膜上形成的栅电极(211)，在垂直于源-漏方向的剖面上，P型埋入扩散区域(204)离开P型主体区域(206)的距离大于栅电极(211)离开P型主体区域(206)的距离。

公开(公告)号：CN107924845A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049648.5

申请日：2016-03-30

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生 ,  久保胜 ,  福见公孝 ,  藤井敬久

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

摘要： 氮化物半导体器件具备：至少覆盖漏电极(19)的第二绝缘膜(22)、和使负载短路时产生于漏电极(19)与第二绝缘膜(22)之间的热应力最大的位置的热应力减少的热应力减少部。热应力减少部(19bf)是漏电极(19)的上部朝向源电极(18)延伸而成的漏极场板部(19bf)。

公开(公告)号：CN102290446B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201110165559.6

申请日：2011-06-20

申请人： 夏普株式会社

发明人： 一条尚生 ,  A.阿伯托 ,  成濑一史

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明公开了半导体设备及其制造方法。根据本发明的半导体设备包括：形成在半导体层上的第二传导类型的第一扩散区；形成在第一扩散区中的第一传导类型的第二扩散区；形成在第二扩散区中的第二传导类型的第一高浓度扩散区和第一传导类型的第二高浓度扩散区；第一扩散区中的与第二扩散区分隔开给定距离的第二传导类型的第三高浓度扩散区；以及形成在第一高浓度扩散区和第三高浓度扩散区上方并且处于二者之间的栅极电极，其间插入有栅极绝缘膜，其中所述栅极电极被形成为与第一高浓度扩散区重叠，并且所述栅极电极在相同电位下与第一高浓度扩散区和第二高浓度扩散区电连接。