本发明公开了一种制备具有金字塔结构的Fe薄膜的方法。该方法包括：步骤（1）：选择高纯金属铁靶（纯度99.99%）作为溅射靶材，将靶材放入磁控溅射室；步骤（2）：对该单晶硅衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗，将处理后的单晶硅衬底放入磁控溅射室样品台；步骤（3）：工作气体是氩气，调节溅射气压、励磁电流、溅射电流以及样品台的旋转速率，经过一定的时间溅射制备Fe薄膜。本发明在没有施加直流偏置电压的条件下，通过适当控制溅射氩气气压、励磁电流、溅射电流等条件，在单晶硅基片上制备出具有金字塔结构的Fe薄膜。本发明在单晶硅片上制备金字塔结构的Fe薄膜，制造过程简单，有广阔的产业化前景。