发明公开
- 专利标题: 一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜
- 专利标题(英): Novel composite n-layer thin film for silicon-based thin film solar cell
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申请号: CN201210331902.4申请日: 2012-09-10
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公开(公告)号: CN102938423A公开(公告)日: 2013-02-20
- 发明人: 王志强 , 黄跃龙 , 高锦成 , 朱红兵 , 潘清涛 , 王颖 , 关峰 , 王光辉
- 申请人: 保定天威薄膜光伏有限公司
- 申请人地址: 河北省保定市国家高新技术产业开发区恒源西路888号
- 专利权人: 保定天威薄膜光伏有限公司
- 当前专利权人: 保定天威薄膜光伏有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省保定市国家高新技术产业开发区恒源西路888号
- 代理机构: 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司
- 代理商 董金国
- 主分类号: H01L31/0328
- IPC分类号: H01L31/0328 ; H01L31/0352
摘要:
本发明公开了一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜,其包括至少一层n型微晶氧化硅层和至少一层n型微晶硅层,其中,n型微晶氧化硅(μc-SiOx:H)材料的折射率范围在1.5-2.5,薄膜总厚度范围在1纳米-150纳米。利用本发明,能够有效提高硅基薄膜太阳能电池短路电流密度和转化效率。此发明可以应用于硅基薄膜太阳能电池的工业生产。
IPC分类: