-
公开(公告)号：CN102637780B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210127770.3
申请日：2012-04-27
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法，采用预沉积非晶硅薄膜来降低产业化硅薄膜电池的污染问题，属于薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是：在硅薄膜电池制备方法的等离子体清洗/沉积工序中引入预沉积非晶硅薄膜工艺，反应腔室经过氟等离子体刻蚀清洗后，采用等离子增强化学气相沉积工艺，控制辉光功率和硅烷浓度，预沉积非晶硅薄膜，降低残留在反应腔室内的氟、硫或氧浓度，进而提高产业化硅薄膜电池组件的光电转换效率。本发明不需要停止设备，不影响系统的嫁动率，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN102637780A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127770.3
申请日：2012-04-27
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种提高产业化硅薄膜电池组件性能的制备方法，采用预沉积非晶硅薄膜来降低产业化硅薄膜电池的污染问题，属于薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是：在硅薄膜电池制备方法的等离子体清洗/沉积工序中引入预沉积非晶硅薄膜工艺，反应腔室经过氟等离子体刻蚀清洗后，采用等离子增强化学气相沉积工艺，控制辉光功率和硅烷浓度，预沉积非晶硅薄膜，降低残留在反应腔室内的氟、硫或氧浓度，进而提高产业化硅薄膜电池组件的光电转换效率。本发明不需要停止设备，不影响系统的嫁动率，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN102628164B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210127765.2
申请日：2012-04-27
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种控制太阳能电池组件电学性能低下及外观缺陷的方法，属于太阳能电池生产技术领域。技术方案是：根据镀膜衬底在LPCVD设备腔室等待的位置及时间不同对TCO膜层的影响不同，分别进行控制；根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理；当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理。本发明可有效控制彩虹缺陷组件的产生，避免透明导电电极后续原材料的浪费及二级品、报废品的产生，满足人们对太阳能组件电学性能及外观的严格要求。本发明可以降低薄膜太阳能电池组件电学性能低下及外观彩虹缺陷出现的几率，减少后续原材料的浪费，降低太阳能电池组件不良及报废率。
-
公开(公告)号：CN102867889A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210376194.6
申请日：2012-10-08
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制作工艺，其包括：1）在透明基板上沉积前电极材料层；2)形成光电转换层；3)形成背电极材料层：移除部分背电极材料层，单片电池内形成若干个电池分区，相邻两个电池分区之间为共用负极或共用正极，共用正极或负极为通过激光刻蚀移除部分背电极材料层形成的汇流条结构，共用正极或负极与电池引出正极或负极之间通过导通材料带连接。本发明将激光刻蚀技术与背电极材料层的导电特性结合，将单片电池近邻边端的背电极材料层作为电池内串联电池分区的并联连接介质，实现了单片电池内串联电池分区的并联连接，且具有低电池阻抗值并可降低电池开路电压，满足太阳能电池的输出功率及逆变器选型的适应性。
-
公开(公告)号：CN102938423A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210331902.4
申请日：2012-09-10
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/0328 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种用于硅基薄膜太阳能电池的新型复合n层薄膜，其包括至少一层n型微晶氧化硅层和至少一层n型微晶硅层，其中，n型微晶氧化硅（μc-SiOx:H）材料的折射率范围在1.5-2.5，薄膜总厚度范围在1纳米-150纳米。利用本发明，能够有效提高硅基薄膜太阳能电池短路电流密度和转化效率。此发明可以应用于硅基薄膜太阳能电池的工业生产。
-
公开(公告)号：CN102694080A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210199250.3
申请日：2012-06-18
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太阳能电池，属于硅基薄膜太阳能电池生产技术领域。技术方案是：包含二氧化钛背反射薄膜（4）、封装背板（5）、硅基薄膜电池（2）、透明前基板（1）和封装材料（3）；封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。本发明的积极效果：将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，然后通过层压工艺将两者进行封装，这样将有效地提高电池效率，同时提高了节拍、增加了产能、简化了电池制备工艺，降低电池的制备成本，并可广泛用于实际的批量工业生产中。
-
公开(公告)号：CN102694049A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210184946.9
申请日：2012-06-07
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种新型中间层结构的高效硅薄膜太阳能电池结构，包括：在硅薄膜太阳能电池中引入新型中间层结构，中间层结构包括多层n型微晶氧化硅材料或n型微晶氮化硅材料结构，或者多层n型微晶氧化硅材料和n型微晶氮化硅材料的复合结构，其层数为2层至10层，中间层的折射率范围在1.4-2.5，厚度范围在10-100nm。本发明的积极效果：可以在保持非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的顶电池本征层厚度不变的同时，提高顶电池的短路电流密度以及电池的光电转化效率，可以应用于硅基薄膜太阳能电池的制备以及实际批量工业生产。
-
公开(公告)号：CN102628164A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210127765.2
申请日：2012-04-27
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种控制太阳能电池组件电学性能低下及外观缺陷的方法，属于太阳能电池生产技术领域。技术方案是：根据镀膜衬底在LPCVD设备腔室等待的位置及时间不同对TCO膜层的影响不同，分别进行控制；根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理；当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理。本发明可有效控制彩虹缺陷组件的产生，避免透明导电电极后续原材料的浪费及二级品、报废品的产生，满足人们对太阳能组件电学性能及外观的严格要求。本发明可以降低薄膜太阳能电池组件电学性能低下及外观彩虹缺陷出现的几率，减少后续原材料的浪费，降低太阳能电池组件不良及报废率。
-
公开(公告)号：CN102881729A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210383674.5
申请日：2012-10-11
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明涉及一种新型的复合透明导电氧化物薄膜，属于光电器件制备技术领域，尤其适用于薄膜太阳能电池技术。技术方案是：包括至少一层低压化学气相沉积或者金属有机物化学气相沉积方法制备的具有绒面结构的本征氧化锌薄膜或掺杂氧化锌薄膜和至少一层掺杂的透明导电氧化物薄膜，构成复合透明导电氧化物薄膜。本发明的积极效果：制备的新型复合透明导电氧化物薄膜作为电极应用于光电器件中，减少光电器件的界面缺陷，提高器件的性能。
-
公开(公告)号：CN202539818U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201220185544.6
申请日：2012-04-27
申请人： 保定天威薄膜光伏有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本实用新型涉及一种激光划刻工艺中光路调整的装置，属于太阳能电池制造技术领域。技术方案是：包含圆柱体外壳（3）、金属片一（1）和金属片二（2），金属片一和金属片二垂直交叉布置，构成十字型结构，设置在圆柱体外壳内。本实用新型与通常的调光装置相比，可提高光路调整的准确性及有效性，尤其是调整飞行光路时，能大大提高调光效率及调光质量，从而保证激光划刻工艺的准确性及一致性。本实用新型有效利用几何形状在对光照形成的投影的敏感程度不同，使复杂的光路调整工作更加简单有效，并维持光路的一致性及划刻效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.036 秒)
