Invention Grant
- Patent Title: 晶片加工用胶带及其制造方法
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Application No.: CN201180031440.8Application Date: 2011-10-04
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Publication No.: CN102959689BPublication Date: 2016-01-13
- Inventor: 丸山弘光 , 野村芳弘 , 木村和宽
- Applicant: 古河电气工业株式会社
- Applicant Address: 日本国东京都
- Assignee: 古河电气工业株式会社
- Current Assignee: 古河电气工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本国东京都
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 雒运朴
- Priority: 2010-226254 2010.10.06 JP
- International Application: PCT/JP2011/072884 2011.10.04
- International Announcement: WO2012/046737 JA 2012.04.12
- Date entered country: 2012-12-25
- Main IPC: H01L21/301
- IPC: H01L21/301 ; C09J7/02

Abstract:
提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下,特别是5μm以下)的情况下,传感器识别性也很良好,且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。晶片加工用胶带(10),具备:长条状的脱模型膜(11),与胶粘剂层(12(22))、粘合膜(13(23a、23b))。脱模型膜(11),于面(11a)形成有沿着标签形状粘接部(22)的外周的环状的第1切痕部(26)。此第1切痕部(26),在脱模型膜(11)与粘合膜(13(23a))被层叠的层叠部,是以对应于有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27b)的600~700nm波长的透过率A(%)与对应于没有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27a)的600~700nm波长的透过率B(%)的透过率差C成为0.1%以上的方式被形成的。
Public/Granted literature
- CN102959689A 晶片加工用胶带及其制造方法 Public/Granted day:2013-03-06
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IPC分类: