公开(公告)号：CN102959689B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180031440.8

申请日：2011-10-04

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 丸山弘光 ,  野村芳弘 ,  木村和宽

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/28 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/67132

Abstract: 提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。晶片加工用胶带(10)，具备：长条状的脱模型膜(11)，与胶粘剂层(12(22))、粘合膜(13(23a、23b))。脱模型膜(11)，于面(11a)形成有沿着标签形状粘接部(22)的外周的环状的第1切痕部(26)。此第1切痕部(26)，在脱模型膜(11)与粘合膜(13(23a))被层叠的层叠部，是以对应于有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27b)的600～700nm波长的透过率A(％)与对应于没有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27a)的600～700nm波长的透过率B(％)的透过率差C成为0.1％以上的方式被形成的。

公开(公告)号：CN101814432A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010117459.1

申请日：2010-02-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村芳弘 ,  丸山弘光 ,  木村和宽 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L2224/29014

Abstract: 本发明提供不增加材料成本或制造工序，能够以简单的结构，充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下，即：在标记部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中，从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时，外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长，减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力，由此抑制转印痕的发生。

公开(公告)号：CN101814432B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010117459.1

申请日：2010-02-20

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 野村芳弘 ,  丸山弘光 ,  木村和宽 ,  盛岛泰正 ,  石渡伸一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L2224/29014

Abstract: 本发明提供不增加材料成本或制造工序，能够以简单的结构，充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下，即：在标记部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中，从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时，外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长，减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力，由此抑制转印痕的发生。