发明公开
- 专利标题: 制备碳纳米管的方法、用于制备碳纳米管的单晶基底和碳纳米管
- 专利标题(英): Method of manufacturing carbon nanotube, monocrystal substrate for manufacturing carbon nanotube, and carbon nanotube
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申请号: CN201180012183.3申请日: 2011-03-01
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公开(公告)号: CN103003195A公开(公告)日: 2013-03-27
- 发明人: 丸山茂夫 , 千足昇平 , 岡部宽人 , 寺泽正己 , 河野修一 , 佐藤忠
- 申请人: 国立大学法人东京大学 , 京瓷晶体元件有限公司
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 国立大学法人东京大学,京瓷晶体元件有限公司
- 当前专利权人: 国立大学法人东京大学,京瓷晶体元件有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京瑞恒信达知识产权代理事务所
- 代理商 曹津燕; 李渤
- 优先权: 2010-044757 2010.03.01 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/054644 2011.03.01
- 国际公布: WO2011/108545 JA 2011.09.09
- 进入国家日期: 2012-09-03
- 主分类号: C01B31/02
- IPC分类号: C01B31/02 ; C23C16/26 ; C30B29/02 ; C30B29/66
摘要:
本发明通过沿着平行于R面的表面切割人造石英晶体制备R切基底。处理后,在这样得到的R切基底表面的结构中,就晶体结构而言最光滑的R面占据表面的绝大部分,r面和m面暴露在该表面上并沿平行于X轴的方向延伸,尽管很轻微。将催化金属设置于R切基底的表面上后,向R切基底的表面上供应碳源气体,从而使用作为核的催化金属,根据晶格结构生长碳纳米管。这使得制备具有良好取向和线性的碳纳米管成为可能。