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公开(公告)号:CN103003195A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201180012183.3
申请日:2011-03-01
申请人: 国立大学法人东京大学 , 京瓷晶体元件有限公司
CPC分类号: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
摘要: 本发明通过沿着平行于R面的表面切割人造石英晶体制备R切基底。处理后,在这样得到的R切基底表面的结构中,就晶体结构而言最光滑的R面占据表面的绝大部分,r面和m面暴露在该表面上并沿平行于X轴的方向延伸,尽管很轻微。将催化金属设置于R切基底的表面上后,向R切基底的表面上供应碳源气体,从而使用作为核的催化金属,根据晶格结构生长碳纳米管。这使得制备具有良好取向和线性的碳纳米管成为可能。