发明授权
- 专利标题: 功率半导体模块及其制造方法
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申请号: CN201180041186.X申请日: 2011-09-05
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公开(公告)号: CN103081104B公开(公告)日: 2016-05-18
- 发明人: 井出英一 , 平光真二 , 宝藏寺裕之 , 露野圆丈 , 中津欣也 , 德山健 , 松下晃 , 高木佑辅
- 申请人: 日立汽车系统株式会社
- 申请人地址: 日本茨城县
- 专利权人: 日立汽车系统株式会社
- 当前专利权人: 日立安斯泰莫株式会社
- 当前专利权人地址: 日本茨城县
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2010-220252 2010.09.30 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/070115 2011.09.05
- 国际公布: WO2012/043149 JA 2012.04.05
- 进入国家日期: 2013-02-25
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L23/40 ; H01L25/18
摘要:
本发明提供一种功率半导体模块,具备:在一个主面上形成有多个控制电极的功率半导体元件;与功率半导体元件的一个主面介由第一焊锡材料接合的第一导体板;和与功率半导体元件的另一个主面介由第二焊锡材料接合的第二导体板。在第一导体板形成有从该第一导体板的基部突出且在上表面具有第一突出面的第一突出部。在第一导体板的第一突出面形成有具有与功率半导体元件的一个主面相对的第二突出面的第二突出部。第一焊锡材料设置在功率半导体元件和第一导体板之间,且避开多个控制电极。在从功率半导体元件的一个主面的垂直方向投影时,第二突出部以第二突出面的规定边的投影部与形成于第一导体板的基部和第一突出部间的台阶部的投影部重叠的方式形成。功率半导体元件的多个控制电极沿着第二突出面的规定边形成。
公开/授权文献
- CN103081104A 功率半导体模块及其制造方法 公开/授权日:2013-05-01