Invention Grant
- Patent Title: 基于红外测温仪的材料发射率测量方法
- Patent Title (English): Material emissivity measuring method based on infrared thermometer
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Application No.: CN201310047855.5Application Date: 2013-02-06
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Publication No.: CN103091252BPublication Date: 2014-12-03
- Inventor: 牛春洋 , 齐宏 , 王大林 , 阮立明 , 姜宝成
- Applicant: 哈尔滨工业大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee: 哈尔滨工业大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- Agency: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- Agent 胡树发
- Main IPC: G01N21/00
- IPC: G01N21/00 ; G01N21/71 ; G01J5/00
Abstract:
基于红外测温仪的材料发射率测量方法,属于高温不透明材料热物性测量技术领域;本发明是为了解决现有材料发射率测量方法的测量结果精确度差、使用复杂和测量速度慢的问题;本发明首先使用红外测温仪对黑体炉的温度进行测量,并通过计算得到红外测温仪接收的杂散辐射能,然后使用热电偶测温仪对待测材料所制成的试件表面温度进行测量,得到了试件表面的真实温度;本发明设计实现了在五种设定红外测温仪发射率条件下使用测量试件表面温度,得到五个测量温度值,利用五个设定发射率和五个测量温度值代入计算公式得到五个材料发射率,并取其平均值获得待测材料发射率,本发明主要应用在高温不透明材料发射率测量技术领域。
Public/Granted literature
- CN103091252A 基于红外测温仪的材料发射率测量方法 Public/Granted day:2013-05-08
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