发明公开
- 专利标题: 电阻式存储器装置
- 专利标题(英): Resistive memory device
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申请号: CN201310013602.6申请日: 2013-01-15
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公开(公告)号: CN103093810A公开(公告)日: 2013-05-08
- 发明人: 林志和 , 李思翰 , 林文斌 , 许世玄
- 申请人: 财团法人工业技术研究院
- 申请人地址: 中国台湾新竹县
- 专利权人: 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人: 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 优先权: 101139018 2012.10.23 TW
- 主分类号: G11C16/02
- IPC分类号: G11C16/02 ; G11C16/06
摘要:
一种电阻式存储器装置,包括存储器阵列、读取电路、写回逻辑电路以及写回电路。读取电路读取一被选择的存储器单元内所存储的数据,并产生第一控制信号。写回逻辑电路根据第一控制信号与第二控制信号产生写回控制信号。写回电路根据写回控制信号以及一写回电压对被选择的存储器单元执行写回操作,使得被选择的存储器单元的一电阻状态由一低电阻状态转换为一高电阻状态,并且根据被选择的存储器单元的电阻状态产生第二控制信号。
公开/授权文献
- CN103093810B 电阻式存储器装置 公开/授权日:2015-12-09