发明授权
- 专利标题： 一种溅射用铜铟合金靶材的制备方法
- 专利标题（英）： Preparation method for copper-indium alloy target for sputtering
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申请号： CN201310046024.6申请日： 2013-02-05
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公开(公告)号： CN103114264B公开(公告)日： 2015-04-08
- 发明人: 池君洲 , 张云峰 , 张晓煜 , 赵飞燕 , 王连蒙 , 刘延红 , 王丹妮 , 秦兴东 , 王珍
- 申请人： 中国神华能源股份有限公司
- 申请人地址： 北京市东城区安外西滨河路22号神华大厦
- 专利权人： 中国神华能源股份有限公司
- 当前专利权人： 中国神华能源股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市东城区安外西滨河路22号神华大厦
- 代理机构： 北京邦信阳专利商标代理有限公司
- 代理商 王昭林; 鲁云博
- 主分类号： C23C14/06
- IPC分类号： C23C14/06 ; C23C14/34
摘要：
本发明提供一种溅射用铜铟合金靶材，其中，铜的质量百分比含量为37.0~45.5％，铟的质量百分比含量为54.5~63.0%。本发明还提供上述溅射用铜铟合金靶材的制备方法，其包括以下步骤：（1）配料；（2）冶炼；（3）定向凝固；（4）切割；（5）热处理。本发明的溅射用铜铟合金靶材解决了铜铟/铜铟镓前驱薄膜中铟的配比问题和溅射过程中由于靶材缺陷导致的电弧放电问题。
公开/授权文献
- CN103114264A 一种溅射用铜铟合金靶材及其制备方法 公开/授权日：2013-05-22
IPC分类:
