- 专利标题： 硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法
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申请号： CN201210345304.2申请日： 2012-09-17
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公开(公告)号： CN103137656B公开(公告)日： 2017-08-25
- 发明人: 金峻渊 , 金在均 , 蔡秀熙 , 洪贤基
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 屈玉华
- 优先权： 10-2011-0129159 20111205 KR
- 主分类号： H01L29/04
- IPC分类号： H01L29/04 ; H01L29/06 ; H01L21/02 ; C30B25/18
摘要：
本发明公开了硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法。通过形成裂纹减少部可以减少硅衬底中的裂纹的形成和传播。该硅衬底包括硅主体部和形成在硅主体部周围的硅边缘部。裂纹减少部形成在硅衬底的硅边缘部上，使得该裂纹减少部的晶面的方向是随机取向的。
公开/授权文献
- CN103137656A 硅衬底及其制造方法和外延结构及其制造方法 公开/授权日：2013-06-05
IPC分类:
