发明授权
- 专利标题: 一种射线探测器及其制作方法
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申请号: CN201310077728.X申请日: 2013-03-12
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公开(公告)号: CN103165635B公开(公告)日: 2016-03-02
- 发明人: 田宗民 , 阎长江 , 谢振宇
- 申请人: 北京京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
- 专利权人: 北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 北京京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146
摘要:
本发明公开了一种射线探测器及其制作方法。在基板上依次形成栅极层和绝缘层,并在形成有上述绝缘层的基板上形成光电二极管和源漏极层;令该源漏极层的漏极与上述光电二极管相连接,并在上述源漏极层上形成有源层,令该有源层与所述绝缘层相接触;在上述有源层上以及上述源漏极层上形成第一钝化层;在上述光电二极管上,源漏极层上,以及第一钝化层上形成导电薄膜层,并在导电薄膜层上制作第二钝化层。采用本发明技术方案相比现有技术减少了掩膜次数,有效缩短了生产周期,提高了生产效率,降低了制作成本,并且提高射线探测器的灵敏度,减小了射线探测器的功耗。
公开/授权文献
- CN103165635A 一种射线探测器及其制作方法 公开/授权日:2013-06-19
IPC分类: