公开(公告)号：CN103811558B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201210440147.3

申请日：2012-11-06

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 田宗民 ,  阎长江 ,  谢振宇

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  G09F9/33 ,  G09F9/35

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：栅极、有源层以及位于栅极和有源层之间的栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层和有源层之间还设置有晶体材料薄膜层。本发明可克服栅极绝缘层中‑OH基团与有源层发生界面反应、以及栅极绝缘层表面被轰击产生的缺陷，从而优化薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN102709326B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201210133357.8

申请日：2012-04-28

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  李田生 ,  徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/78609 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT稳定性。一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；其中，所述有源层采用金属氧化物半导体，在所述有源层和所述栅绝缘层之间设有金属层，以降低所述有源层和栅绝缘层之间的载流子捕获效应。本发明实施例所提供的方案适用于任意的需要利用薄膜晶体管进行驱动的显示设备。

公开(公告)号：CN104241296B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201410415652.1

申请日：2014-08-21

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 姜晓辉 ,  阎长江 ,  张家祥

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1262 ,  Y02P80/30

摘要： 本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置，涉及液晶显示面板制造技术领域，解决了现有高清显示装置会出现漏极与公共电极层连通，使得公共电极层和像素电极层连通，子像素功能无法正常显示，形成暗点的问题，保证了产品品质，减少了生产材料的浪费，降低了生产成本。包括：基板、源极、漏极、有机树脂层和形成于有机树脂层上的公共电极层，有机树脂层上形成有第一过孔，设置在源极和漏极上覆盖基板的隔离层，有机树脂层完全覆盖隔离层；隔离层上形成有与第一过孔连通使漏极部分裸露的第二过孔，第二过孔的尺寸大于第一过孔的尺寸。本发明应用于显示面板制作技术领域中。

公开(公告)号：CN104022044B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310065383.6

申请日：2013-03-01

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  李田生 ,  徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上形成栅极、栅绝缘层、沟道层、阻挡层和源极、漏极；所述沟道层在含有氢气、氩气和氧气的第一混合气体中沉积。本发明还同时公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。本发明可有效减弱薄膜晶体管的磁滞滞后现象，提高显示面板的显示品质。

公开(公告)号：CN103953841B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410177646.7

申请日：2014-04-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 徐少颖 ,  李田生 ,  阎长江

IPC分类号： F16P7/00 ,  F16F15/08

摘要： 本发明涉及易碎品防护技术领域，公开了一种易碎品保护装置，易碎品的易碎面上设有至少一个安装孔，保护装置安装在安装孔内，保护装置包括加速度或速度检测装置、驱动装置和缓冲体，加速度或速度检测装置用于检测易碎品的加速度或速度，当易碎品的加速度或速度大于设定值时，驱动装置驱动缓冲体从安装孔内弹出，安装孔内设有限位机构，用于限制缓冲体弹出的位置。本发明在易碎品跌落的过程中，缓冲体可从易碎品的易碎面安装孔内伸出，防止了易碎品的易碎面直接与着落点接触，进而防止易碎品在失控环境下与着落点发生撞击而破碎，本发明结构简单，操作方便，且反应敏捷，设备反应速度快，在失控环境下可及时对易碎品进行保护。

公开(公告)号：CN103165635B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310077728.X

申请日：2013-03-12

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 田宗民 ,  阎长江 ,  谢振宇

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14658

摘要： 本发明公开了一种射线探测器及其制作方法。在基板上依次形成栅极层和绝缘层，并在形成有上述绝缘层的基板上形成光电二极管和源漏极层；令该源漏极层的漏极与上述光电二极管相连接，并在上述源漏极层上形成有源层，令该有源层与所述绝缘层相接触；在上述有源层上以及上述源漏极层上形成第一钝化层；在上述光电二极管上，源漏极层上，以及第一钝化层上形成导电薄膜层，并在导电薄膜层上制作第二钝化层。采用本发明技术方案相比现有技术减少了掩膜次数，有效缩短了生产周期，提高了生产效率，降低了制作成本，并且提高射线探测器的灵敏度，减小了射线探测器的功耗。

公开(公告)号：CN103137641B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310031381.5

申请日：2013-01-25

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  李田生 ,  徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器，涉及光电技术领域，为能够增强薄膜晶体管的稳定性而发明。所述阵列基板包括：基板；形成于所述基板上的栅线层，所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线；形成于所述栅线层上方的栅绝缘层；形成于所述绝缘层上方的有源层；形成于所述有源层上方的数据线层，所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述数据线与所述栅线交叉，其中，所述有源层包括导体层和半导体层，所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方，所述半导体层包裹所述导体层。本发明主要适用在X射线平板探测器中。

公开(公告)号：CN104299942A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410465232.4

申请日：2014-09-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  卢凯 ,  郭建 ,  谢振宇

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76804 ,  H01L29/66765 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/311 ,  H01L23/538 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置，用以防止在制作过孔时形成倒角，以提高产品质量并改善显示装置的显示效果。所述过孔制作方法，包括：采用第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部分刻蚀，其中采用第一刻蚀工艺的竖直刻蚀量小于顶层膜层的厚度；采用竖直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。

公开(公告)号：CN103137641A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310031381.5

申请日：2013-01-25

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  李田生 ,  徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、X射线平板探测器，涉及光电技术领域，为能够增强薄膜晶体管的稳定性而发明。所述阵列基板包括：基板；形成于所述基板上的栅线层，所述栅线层包括栅极以及与所述栅极连接的栅线；形成于所述栅线层上方的栅绝缘层；形成于所述绝缘层上方的有源层；形成于所述有源层上方的数据线层，所述数据线层包括源极、漏极以及与所述源极连接的数据线，所述数据线与所述栅线交叉，其中，所述有源层包括导体层和半导体层，所述导体层形成于所述栅绝缘层的上方，所述半导体层包裹所述导体层。本发明主要适用在X射线平板探测器中。

公开(公告)号：CN103887343B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210564245.8

申请日：2012-12-21

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  徐少颖 ,  李田生 ,  阎长江 ,  李靖 ,  田宗民

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其中，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层中的氢含量。本发明采用双层刻蚀阻挡层工艺制作薄膜晶体管，有效地降低了刻蚀阻挡层的氧化硅薄膜中的氢含量，避免硅烷分解产生的氢离子与有源层中的金属氧化物反应，使氧化物薄膜晶体管保持较优的特性，并提高了刻蚀阻挡层的薄膜沉积速率。