Invention Publication
- Patent Title: 半导体存储器测试方法和半导体存储器
- Patent Title (English): Semiconductor memory test method and semiconductor memory
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Application No.: CN201210530440.9Application Date: 2012-12-10
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Publication No.: CN103187102APublication Date: 2013-07-03
- Inventor: 森郁 , 柳下良昌 , 青木一
- Applicant: 富士通半导体股份有限公司
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 富士通半导体股份有限公司
- Current Assignee: 株式会社索思未来
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 李晓冬
- Priority: 2011-287935 2011.12.28 JP
- Main IPC: G11C29/12
- IPC: G11C29/12

Abstract:
本发明公开了半导体存储器测试方法和半导体存储器。通过将擦除脉冲施加到存储单元阵列中包括的并且被分成多个组的存储单元系列来执行第一擦除测试,直到出现被做出擦除完成的确定的组为止。基于在检测到首先被做出擦除完成的确定的组时的擦除脉冲数目来对包括所述存储单元系列在内的存储单元的其他系列执行第二擦除测试。
Public/Granted literature
- CN103187102B 半导体存储器测试方法和半导体存储器 Public/Granted day:2016-05-04
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