公开(公告)号：CN103187102A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210530440.9

申请日：2012-12-10

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 森郁 ,  柳下良昌 ,  青木一

IPC分类号： G11C29/12

CPC分类号： G11C29/00 ,  G11C16/00 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3445 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/10

摘要： 本发明公开了半导体存储器测试方法和半导体存储器。通过将擦除脉冲施加到存储单元阵列中包括的并且被分成多个组的存储单元系列来执行第一擦除测试，直到出现被做出擦除完成的确定的组为止。基于在检测到首先被做出擦除完成的确定的组时的擦除脉冲数目来对包括所述存储单元系列在内的存储单元的其他系列执行第二擦除测试。

公开(公告)号：CN1697078B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200510072601.4

申请日：2002-03-29

申请人： 富士通半导体股份有限公司

发明人： 山口秀策 ,  内田敏也 ,  柳下良昌 ,  阪东能英 ,  矢田雅大 ,  奥田正树 ,  小林广之 ,  原浩太 ,  藤冈伸也 ,  藤枝和一郎

IPC分类号： G11C11/406 ,  G11C11/409

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C8/12 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/4087 ,  G11C2211/4061 ,  G11C2211/4062

摘要： 一种半导体存储器，包括：存储器芯，包括多个用于分配和存储分别对应于相同地址的多个位数据的存储器块；和控制电路，用于以各不相同的定时对所述多个存储器块执行刷新操作。从而提供了用户友好的半导体存储器，且能实现对读命令的高速响应和高速数据传输速率。