发明公开
- 专利标题: 一种RRAM写电路
- 专利标题(英): Resistive random access memory (RRAM) writing circuit
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申请号: CN201310084572.8申请日: 2013-03-15
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公开(公告)号: CN103198860A公开(公告)日: 2013-07-10
- 发明人: 于杰 , 焦斌 , 伍冬 , 吴华强 , 钱鹤
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 北京新忆科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084-82信箱
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 张大威
- 主分类号: G11C11/56
- IPC分类号: G11C11/56
摘要:
本发明提出一种RRAM写电路,包括:存储单元阵列,存储单元阵列包括M行N列存储单元,其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管,其中,晶体管的漏极经过电阻与位线相连,晶体管的栅极与字线相连,每一列晶体管的源极相连;和限流模块,限流模块包括与N列存储单元相对应的N个限流晶体管,限流晶体管的漏极与对应列的存储单元的源极相连,限流晶体管的栅极接限流电压,限流晶体管的源极与源线相连。本发明提出了置位过程中位线限流的RRAM写电路,在不增加面积的情况下,使得译码电路结构简单,而且能够并行写入包含‘0’和‘1’的多位数据信号。
公开/授权文献
- CN103198860B 一种RRAM写电路 公开/授权日:2015-12-09