一种RRAM写电路
摘要:
本发明提出一种RRAM写电路,包括:存储单元阵列,存储单元阵列包括M行N列存储单元,其中每个存储单元包括一个电阻和一个晶体管,其中,晶体管的漏极经过电阻与位线相连,晶体管的栅极与字线相连,每一列晶体管的源极相连;和限流模块,限流模块包括与N列存储单元相对应的N个限流晶体管,限流晶体管的漏极与对应列的存储单元的源极相连,限流晶体管的栅极接限流电压,限流晶体管的源极与源线相连。本发明提出了置位过程中位线限流的RRAM写电路,在不增加面积的情况下,使得译码电路结构简单,而且能够并行写入包含‘0’和‘1’的多位数据信号。
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