发明授权
- 专利标题： 阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路
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申请号： CN201310173336.3申请日： 2013-05-10
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公开(公告)号： CN103208308B公开(公告)日： 2016-01-20
- 发明人: 焦斌 , 于杰 , 吴华强
- 申请人： 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区100084-82信箱
- 专利权人： 清华大学
- 当前专利权人： 北京新忆科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区100084-82信箱
- 代理机构： 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 张大威
- 主分类号： G11C16/06
- IPC分类号： G11C16/06
摘要：
本发明公开了一种阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路，包括：稳压电路、电阻、电流镜、电容、选通管、变阻单元以及晶体管，其中：稳压电路的输出端通过电阻接入电流镜的输入端，电流镜的输出端并联电容，同时电流镜的输出端还通过选通管加在变阻单元上，变阻单元的另一端经过晶体管接地。本发明具有复位操作快、器件耐久性高的优点。
公开/授权文献
- CN103208308A 阻变存储器中连续斜坡脉冲式写电路 公开/授权日：2013-07-17
