发明公开
- 专利标题: 一种具有黄铜矿结构的CuInSe2以及CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of CuInSe2 with a chalcopyrite structure and CuIn1-xGazSe2 nano particles
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申请号: CN201310078754.4申请日: 2013-02-25
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公开(公告)号: CN103213956A公开(公告)日: 2013-07-24
- 发明人: 韩朝霞 , 张大伟 , 洪瑞金 , 陶春先 , 凌进中 , 黄元申 , 陈勤妙 , 庄松林
- 申请人: 上海理工大学
- 申请人地址: 上海市杨浦区军工路516号
- 专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区军工路516号
- 代理机构: 上海德昭知识产权代理有限公司
- 代理商 郁旦蓉
- 主分类号: C01B19/00
- IPC分类号: C01B19/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明涉及一种具有黄铜矿结构的CuInSe2以及CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒的制备方法。首先分别制备含有Cu+或Cu2+、In3+或Ga3+阳离子的金属前驱体溶液和Se粉前驱体溶液,然后将金属前驱体溶液和Se粉前驱体溶液混合,搅拌均匀,并在高纯氮气保护下加热至200~285 oC,反应0.5~2 h,得到CuInSe2或CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒溶液,经高速离心、清洗以及干燥步骤得到CuInSe2或CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒。所得的CuInSe2 以及 CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒具有黄铜矿晶体结构,分散性好,相纯度高,且元素组分接近化学计量比,为制备高转换效率薄膜太阳能电池打下了基础。本发明以廉价的金属盐和硒粉作为前驱体,采用简单的一锅合成方法,不需注入,操作简便,合成周期短,可重复性强,适于批量化生产。
公开/授权文献
- CN103213956B 一种具有黄铜矿结构的CuInSe2以及CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒的制备方法 公开/授权日:2015-01-21