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公开(公告)号：CN109946282B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201910314687.9
申请日：2019-04-18
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N21/64 , G01N21/59 , G01N21/552
Abstract: 本发明提出一种用于测量荧光薄膜透射率或反射率光谱的测量方法，本发明所涉及的测量方法，先根据荧光薄膜的激发光谱波段范围和发射光谱波段范围，选择合适波长的截止滤光片，通过在探测器前放置合适波长的截止滤光片，可以将从样品出来的光中的荧光发射部分滤除掉，从而获得荧光薄膜准确的透射率或反射率曲线；本发明操作简便，测量准确度高，适用面广，既适用于下转换荧光薄膜，也适用于上转换荧光薄膜，即适用于测量荧光薄膜的透射率，也适用于测量荧光薄膜的反射率。
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公开(公告)号：CN110510889A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910863086.3
申请日：2019-09-12
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供一种氮氧化钛薄膜及其基于激光剥离技术的制备方法，包括：步骤1，将氮化钛陶瓷片放置到实验平台上，然后将洁净的玻璃基片放置到氮化钛陶瓷片上，使玻璃基片的下表面与氮化钛陶瓷片完全且紧密贴合；步骤2，采用脉冲激光器发出激光功率为2W，扫描速率为400mm/s的激光，将氮化钛颗粒从氮化钛陶瓷片上剥离到玻璃基片的表面且氮化钛颗粒与氧元素结合，得到附着在玻璃基片下面的氮氧化钛膜层；步骤3，采用脉冲激光器发出激光功率为2W，扫描速率为400mm/s或700mm/s的激光对氮氧化钛膜层进行辐照，得到氮氧元素含量得到改变的氮氧化钛薄膜。本发明的方法操作简单，成本低廉，且制备得到的氮氧化钛薄膜具有不错的热稳定性和附着力。
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公开(公告)号：CN110357450A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910576075.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 上海理工大学
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物基底的制备方法，包括：将金属片放置到实验平台上，然后将洁净的玻璃基片放置到金属片上，使玻璃基片的下表面与金属片完全且紧密贴合；用脉冲激光器烧蚀玻璃基片的上表面，得到附着在玻璃基片的下表面的金属氧化物膜层，该金属氧化物膜层由MO2与MO3组成；用二氧化碳连续激光器辐照金属氧化物膜层，得到能够产生表面等离子体共振的金属氧化物基底，该金属氧化物基底由MO2、MO3及MO3-x组成，其中，0
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公开(公告)号：CN108220883A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810029078.4
申请日：2018-01-12
Applicant: 上海理工大学
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/5813
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导的表面等离子体性能可调基底，包括：石英基片；以及贵金属膜层，沉积于石英基片上，其中，贵金属膜层的材料为Ag、Au或Cu。本发明还公开了一种制备激光诱导的表面等离子体性能可调基底的方法，包括如下步骤：步骤1，依次采用丙酮、酒精、去离子水对石英基片进行超声波清洗，以除去表面氧化物或杂质；步骤2，利用电子束蒸发镀膜系统在石英基片上沉积贵金属膜层；步骤3，利用二氧化碳激光器辐照贵金属膜层，将该贵金属薄膜转化为贵金属颗粒，即得到表面等离子体性能可调基底。
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公开(公告)号：CN106282960A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610752183.1
申请日：2016-08-29
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 根据本发明提供的择优取向的铟锡合金薄膜的制备方法，能得到择优取向的铟锡合金薄膜。具体是指将石英基片放置于镀膜夹具；在一定真空度及烘烤温度下进行沉积镀膜，在一定的真空条件下用电子束辐照轰击薄膜表面使其改性。一定真空度大于5×10-4Pa；烘烤温度为100-200℃。本发明制备的铟锡合金薄膜表现择优取向，可通过控制电子束流大小及辐照时间控制其生长取向。该种铟锡合金薄膜的结晶度好，具有良好的附着性、均匀性和热稳定，最终得到的铟锡合金薄膜具有优异的性能，是应用在传感器等领域中很有价值的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104004990B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410242295.3
申请日：2014-06-03
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：衬底清洗：依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗衬底后放入磁控溅射室样品架上；设置重金属掺杂：取钼丝固定在锌靶上，钼丝分布形状为圆心辐射状，钼掺杂量控制在0.5?10％范围内；抽取真空：将磁控溅射室抽真空；调节溅射气氛：分别以氧气和氩气作为反应气体和溅射气体输入磁控溅射室，氧气纯度为99.99％，氩气纯度在99.95％以上，氧气流量与氩气流量的比值控制在3：2至4：1之间；磁控溅射生长：使用60W的溅射功率，在0.8pa、室温条件下，先对锌靶预溅射5min，然后进行反应溅射生长钼掺杂的氧化锌薄膜。本发明制得的产品与现有的氧化锌薄膜相比具有更好的透过率。
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公开(公告)号：CN103526171B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310497082.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 一种A轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜制备方法，包含以下步骤：将石英基底加热至一定温度；在一定的工作气体、工作气压以及真空度下，靶材进行一定时间的预溅射，得到预溅射靶材；将预溅射靶材通过直流磁控在以一定速率自转的石英基底上溅射一段时间以沉积并得到薄膜；将薄膜冷却至室温，得到掺铝氧化锌薄膜，一定时间为8-10分钟，一定速率为3-6转/分，一段时间为25分钟，上述掺铝氧化锌薄膜为a轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜。本发明的制备方法实现了制备AZO薄膜时的a轴和c轴不同择优取向可控制的调谐或转换，且本制备方法还可以在同一基底上通过一定的遮蔽处理在不同区域制备不同生长取向的AZO薄膜，开发其潜在的应用价值。最终得到的AZO薄膜具有优异的性能，尤其在压电效应等领域有着潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN105137693A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510630466.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 上海理工大学
IPC: G02F1/355
CPC classification number: G02F1/355 , G02F2203/52
Abstract: 本发明公开一种可调谐阈值的光学限幅器，包括液体注入件、平面锯齿型混合管道、圆形光学腔和出口管道；在圆形光学腔上设置圆形光学腔的入口、出口；圆形光学腔的出口直接与出口管道相连；所述液体注入件为“Y”型管道，所述“Y”型管道，具有2个口的一端为液体注入件的入口端，具有1个口的一端为液体注入件的出口端；所述的液体注入件1的出口端与平面锯齿型混合管道的一端相连，平面锯齿型混合管道的另一端与圆形光学腔的入口连接。由于其液体注入件为“Y”型管道，该“Y”型管道含有两种溶液入口，通过控制氧化石墨烯乙醇溶液与乙醇溶液的流速，使最终进入到圆形光学腔内的氧化石墨烯浓度精确可控，从而实现光学非线性的可调节功能。
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公开(公告)号：CN103257037A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310221003.3
申请日：2013-06-05
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及一种宽波段硅基探测器光谱响应的通用测试系统，光源与单色仪相连，单色仪进光口放置一套滤波片轮，单色仪出射狭缝后安装一组准直缩束石英透镜，在石英透镜后安装有一套能量衰减转轮，标准探测器和CCD驱动板固定在三维步进电机平台置于暗室中，标准探测器和CCD驱动板分别接收来自单色仪的光信号，再通过图像采集卡和皮安表将信号送入工控机里处理；步进电机平台使标准探测器与CCD驱动板可横向同轴切换，工控机输出控制步进驱动器、单色仪、衰减转轮。在单色仪和探测器之间采用能量衰减转轮实现对不同波段入射光的能量进行控制，有效避免了光源在整个波段能量的不均匀性，从而保证了宽波段光谱响应及量子效率的测量的准确性。
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公开(公告)号：CN103196868A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310122640.5
申请日：2013-04-10
Applicant: 上海理工大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶折射率的测定方法，包括以下步骤：使光刻胶液体在水面上凝固得到光刻胶薄膜；将光刻胶薄膜置于回形支架中并加热得到样品支架；使用太赫兹时域光谱系统仅测定太赫兹电磁波通过空白回形支架后脉冲电场的时间波形，傅立叶转换后得到参照相位；使用太赫兹时域光谱系统测定太赫兹电磁波通过样品支架后脉冲电场的时间波形，通过傅立叶转换后得到样品相位；根据参照相位和样品相位得到相位差；根据计算公式得到光刻胶在太赫兹频段内的折射率。因为光刻胶对太赫兹电磁波不敏感，所以不会发生光敏反应，可以实现准确测量曝光前后光刻胶在太赫兹频段内的折射率。本发明方便快捷，测试结果精确，拓展了光刻胶折射率的测量范围。
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