石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法

Invention Publication

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Patent Title: 石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法
Patent Title (English): Graphene device and method of manufacturing the same
Application No.: CN201210497438.6

Application Date: 2012-11-29
Publication No.: CN103227103A

Publication Date: 2013-07-31
Inventor: 李昌承 , 李周浩 , 金容诚 , 文彰烈
Applicant: 三星电子株式会社
Applicant Address: 韩国京畿道
Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee Address: 韩国京畿道
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 王新华
Priority: 10-2012-0007797 2012.01.26 KR
Main IPC: H01L21/04
IPC: H01L21/04 ; H01L29/78

Abstract:

本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括：在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。

Abstract(English):

A method of manufacturing a graphene device may include forming a device portion including a graphene layer (GP1) on the first substrate (SUB1); attaching a second substrate (SUB2) on the device portion of the first substrate; and removing the first substrate. The removing of the first substrate may include etching a sacrificial layer between the first substrate and the graphene layer. After removing the first substrate, a third substrate may be attached on the device portion. After attaching the third substrate, the second substrate may be removed.

Public/Granted literature

CN103227103B 石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法 Public/Granted day:2017-06-23

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层