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公开(公告)号：CN112993022B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202011144164.3
申请日：2020-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN115692482A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210423984.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/788 , H10B12/00 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103915496B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310534898.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L29/16 , H01L29/861 , H01L27/1159 , H01L27/11521 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/28 , B82Y10/00
Abstract: 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
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公开(公告)号：CN103227103B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210497438.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括：在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。
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公开(公告)号：CN103915496A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310534898.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/861 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66477 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L21/6835 , H01L27/11521 , H01L27/1159 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L29/42328 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78391 , H01L29/7881 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
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公开(公告)号：CN113675176A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110047413.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
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