异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构

发明公开

CN103227196A 异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构有权转让

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专利标题： 异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构
专利标题（英）： Heterojunction bipolar transistor structure and method of manufacture and design structure
申请号： CN201310022558.5

申请日： 2013-01-22
公开(公告)号： CN103227196A

公开(公告)日： 2013-07-31
发明人: R·卡米洛-卡斯蒂罗 , 何忠祥 , J·B·约翰逊 , 刘奇志 , 刘学锋
申请人： 国际商业机器公司
申请人地址： 美国纽约
专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人： 格芯公司
当前专利权人地址： 美国纽约
代理机构： 北京市中咨律师事务所
代理商 于静; 杨晓光
优先权： 13/358,180 2012.01.25 US
主分类号： H01L29/737
IPC分类号： H01L29/737 ; H01L29/08 ; H01L21/331 ; G06F17/50

摘要：

本发明提供了异质结双极晶体管（HBT）结构、其制造方法及其设计结构。所述HBT包括其中具有子集电极区域的半导体衬底。所述HBT结构还包括覆盖所述子集电极区域的一部分的集电极区域。所述HBT结构还包括覆盖所述集电极区域的至少一部分的内部基极层。所述HBT结构还包括与所述内部基极层相邻并电连接的外部基极层。所述HBT结构还包括在所述外部基极层与所述子集电极区域之间垂直延伸的隔离区域。所述HBT结构还包括覆盖所述内部基极层的一部分的发射极。所述HBT结构还包括电连接到所述子集电极区域的集电极接触。所述集电极接触有利地延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。

摘要（英）：

A heterojunction bipolar transistor (HBT) structure, method of manufacturing the same and design structure thereof are provided. The HBT structure includes a semiconductor substrate having a sub-collector region therein. The HBT structure further includes a collector region overlying a portion of the sub-collector region. The HBT structure further includes an intrinsic base layer overlying at least a portion of the collector region. The HBT structure further includes an extrinsic base layer adjacent to and electrically connected to the intrinsic base layer. The HBT structure further includes an isolation region extending vertically between the extrinsic base layer and the sub-collector region. The HBT structure further includes an emitter overlying a portion of the intrinsic base layer. The HBT structure further includes a collector contact electrically connected to the sub-collector region. The collector contact advantageously extends through at least a portion of the extrinsic base layer.

公开/授权文献

CN103227196B 异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构公开/授权日：2016-05-11

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/73	.....双极结型晶体管
H01L29/737	......异质结晶体管