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公开(公告)号：CN103943604B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410028901.1
申请日：2014-01-22
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H05K1/11 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H05K3/40 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
摘要： 各种实施例包括互连结构以及形成这种结构的方法。互连结构可以包括复合铜线，所述复合铜线包括至少两个不同的铜部分。最上面的铜部分可以具有大约1微米或更小的厚度，这抑制最上面部分中的表面粗糙化，并且有助于增强与覆层的帽粘附。
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公开(公告)号：CN103843121B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280045981.0
申请日：2012-09-11
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构，以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。
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公开(公告)号：CN102473710B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201080036668.1
申请日：2010-08-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L27/02
CPC分类号： H01L28/90 , H01L23/5223 , H01L28/86 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种叉指状结构，其可以包括：至少一个第一金属线；至少一个第二金属线，其与至少一个第一金属线平行并且与其分离；以及第三金属线，其与至少一个第一金属线的端部接触，并且与至少一个第二金属线分离。至少一个第一金属线并不与任何金属过孔竖直接触，而至少一个第二金属线可以与至少一个金属过孔竖直接触。多层的叉指状结构可以竖直地堆叠。备选地，叉指状结构可以包括多个第一金属线、多个第二金属线，每个金属线并不与任何金属过孔垂直接触。可以在旋转或者不旋转的情况下，使叉指状结构的多个实例横向地复制和结合，和/或竖直堆叠以形成电容器。
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公开(公告)号：CN103155107A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048087.4
申请日：2011-09-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76802 , H01L21/76834 , H01L21/76846 , H01L21/76879 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本公开一般涉及集成电路（IC）、IC互连及其制造方法，更具体地，涉及高性能电感器。IC（10）包括设置在衬底（30）上的介电层25内的至少一个沟槽（20）。所述沟槽被共形地涂敷有衬里和种子层（35），且包括其内的互连（40）。互连包括在互连的侧壁上的硬掩模（45）。
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公开(公告)号：CN101114632B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710139143.0
申请日：2007-07-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/8249 , H01L23/53228 , H01L23/53257 , H01L23/53295 , H01L27/0623 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一半导体器件；(c)在所述第一半导体器件上的N ILD(级间介质)层，其中N是大于1的整数；以及(d)与所述第一半导体器件电连接的导电线。所述导电线适于负载在平行于N ILD层的两个连续ILD层之间的界面表面的横向方向上的横向电流。所述导电线存在于N ILD层的至少两个ILD层中。所述导电线不包括适于负载在垂直于所述界面表面的垂直方向上的垂直电流的导电过孔。
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公开(公告)号：CN100546048C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710096585.1
申请日：2007-04-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 何忠祥 , 道格拉斯·D·考尔堡 , 埃比尼泽·E.·埃尚 , 罗伯特·M.·拉塞尔
IPC分类号： H01L29/92 , H01L27/00 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC分类号： H01L28/60
摘要： 本发明涉及MIM电容器器件及其制造方法。所述器件包括：包括一个或者多个导电层的上极板，其具有顶面、底面和侧壁；包括一个或者多个导电层的分流板，其具有顶面、底面和侧壁；以及包括一个或者多个电介质层的电介质块，其具有顶面、底面和侧壁，该电介质块的顶面与所述上极板的底面物理接触，该电介质块的底面在所述分流板的顶面的上方，所述上极板和所述电介质块的所述侧壁基本上共面。
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公开(公告)号：CN100442490C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200380110827.8
申请日：2003-12-16
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明公开了包括位于单个衬底(110)上的多个互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管(116)和多个垂直双极型晶体管(118)的集成电路结构的方法和结构。垂直双极型晶体管(118)比CMOS晶体管(116)高。在本结构中，钝化层(112)位于衬底(110)之上，在垂直双极型晶体管(118)和CMOS晶体管(116)之间。在钝化层(120)上面有布线层(120)。垂直双极型晶体管(118)与布线层(120)直接接触，并且CMOS晶体管(116)通过穿过钝化层(112)延伸的接触与布线层(114)连接。
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公开(公告)号：CN102906871B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025549.0
申请日：2011-06-08
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。
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公开(公告)号：CN102473710A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036668.1
申请日：2010-08-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L27/02
CPC分类号： H01L28/90 , H01L23/5223 , H01L28/86 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种叉指状结构，其可以包括：至少一个第一金属线；至少一个第二金属线，其与至少一个第一金属线平行并且与其分离；以及第三金属线，其与至少一个第一金属线的端部接触，并且与至少一个第二金属线分离。至少一个第一金属线并不与任何金属过孔竖直接触，而至少一个第二金属线可以与至少一个金属过孔竖直接触。多层的叉指状结构可以竖直地堆叠。备选地，叉指状结构可以包括多个第一金属线、多个第二金属线，每个金属线并不与任何金属过孔垂直接触。可以在旋转或者不旋转的情况下，使叉指状结构的多个实例横向地复制和结合，和/或竖直堆叠以形成电容器。
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公开(公告)号：CN1954263B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200580015358.0
申请日：2005-05-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/8242 , H01L21/20
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L27/016 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , Y10T29/49002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种制造金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法。在此方法中，在下导体层(100)上形成介质层(102，106)并且在介质层上形成上导体层(104，108)。然后，本发明在上导体层和介质层上形成蚀刻停止层(200)并且在蚀刻停止层上形成硬掩膜(202)(氧化硅硬掩膜，氮化硅硬掩膜等)。下一步，在硬掩膜上构图光致抗蚀剂(300)，其允许通过光致抗蚀剂蚀刻硬掩膜，蚀刻停止层，介质层和下导体层。
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