发明公开
- 专利标题: N型太阳能电池及其选择性背场制备方法
- 专利标题(英): N-type solar cell and preparation method of selective back surface fields of N-type solar cell
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申请号: CN201310165039.4申请日: 2013-05-07
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公开(公告)号: CN103227244A公开(公告)日: 2013-07-31
- 发明人: 郎芳 , 张伟 , 王红芳 , 王英超 , 张生利 , 赵文超 , 李高非 , 胡志岩 , 熊景峰
- 申请人: 英利集团有限公司
- 申请人地址: 河北省保定市翠园街722号
- 专利权人: 英利集团有限公司
- 当前专利权人: 一道新能源科技(衢州)有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省保定市翠园街722号
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吴贵明; 张永明
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/068
摘要:
本发明提供一种N型太阳能电池及其选择性背场制备方法。该N型太阳能电池的选择性背场制备方法包括以下步骤:在N型衬底的预定位置印刷磷浆料;将印刷有磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散,并通入三氯氧磷气体,形成选择性背场。N型衬底上印有磷浆料的位置形成高掺杂区,没有印刷磷浆料的位置通过三氯氧磷气体的扩散形成低掺杂区,这样就在N型衬底上形成掺杂浓度不同的选择性背场,通过此方法仅通过一次高温过程即可实现选择性背场的制备,避免了多次高温对N型衬底的损伤。
公开/授权文献
- CN103227244B N型太阳能电池及其选择性背场制备方法 公开/授权日:2016-12-28
IPC分类: