N型太阳能电池的制备方法及其高低结的制备方法

    公开(公告)号:CN103943726B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201410163858.X

    申请日:2014-04-22

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种N型太阳能电池的制备方法及其高低结的制备方法。该N型太阳能电池的高低结的制备方法包括:建立P型硅片的方块电阻与N型硅片的表面磷扩散浓度之间的关系模型;根据所欲制备的N型硅片表面磷扩散浓度,对照关系模型,找到相应P型硅片的方块电阻的预设值;按以下步骤对N型硅片进行磷扩散处理:A1将N型硅片与P型硅片在相同条件下进行磷扩散处理;A2对经磷扩散处理后的P型硅片进行测试,获取P型硅片的方块电阻;A3对比经磷扩散处理后的P型硅片的方块电阻与预设值,若大于预设值,则重复步骤A1和A2至两者之间差值的绝对值小于预设差值为止。该方法既能降低测试的难度和成本,又能监控N型硅片生产中高低结的优劣。

    N型太阳能电池及其制造工艺

    公开(公告)号:CN102800757B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201210309888.8

    申请日:2012-08-28

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种N型太阳能电池的制造工艺,包括步骤1)硅片清洗制绒;2)在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆,所述背场面为掺杂磷杂质的面;3)磷、硼扩散;4)化学清洗表面并激光刻边,使上下两面绝缘;5)双面镀膜;6)印刷正背面电极;7)烧结。该制造工艺在进行磷、硼扩散之前,在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆,使得扩散结束后的电池片上的印刷磷浆区形成高掺杂深扩散区,其他区域形成低掺杂浅扩散区,硅片表面形成高低异质结,使N型太阳能电池获得选择性背场,提高了电池的光电转换效率。由于与腐蚀浆料相比,磷浆价格便宜,故能够降低生产成本。本发明还提供了一种N型太阳能电池。

    晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN103433233B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201310371345.3

    申请日:2013-08-22

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该清洗方法包括:步骤S1,采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗;步骤S2,采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料,在超声作用的配合下,利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用,在较短的时间内即可完成,并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除,不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间;同时,由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用,因此不会对硅片已有的结构造成影响,进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率,反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。

    一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法

    公开(公告)号:CN103346212B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201310263648.3

    申请日:2013-06-27

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/223

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种磷扩散方法、P型电池制备方法以及N型电池制备方法,所述磷扩散方法包括:对扩散炉进行加热;当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后,通入设定流量的小氮以及氧气,并持续加热,其中,所述小氮为携带三氯氧磷的氮气,所述小氮的流量小于氧气的流量;当扩散内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后,使小氮的流量大于氧气的流量,开始磷扩散;预设时间的磷扩散后,进行退火处理。所述磷扩散方法在进行加热以及稳定炉温阶段,可去除硅片表面的金属离子,从而避免了进行磷扩散时,金属离子扩散入硅片内形成复合中心,采用所述磷扩散方法制备的P型电池以及N型电池具有较高的转换效率。

    一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法

    公开(公告)号:CN103436967A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310348787.6

    申请日:2013-08-12

    IPC分类号: C30B31/16 C30B31/10

    摘要: 本发明公开了一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法,涉及单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的扩散工艺技术领域。所述方法通过在扩散炉内增加石英挡板,打乱了原有气流的分布,使工艺气体更加均匀的分布在炉管的各个温区,保证了太阳能电池片良好PN结的形成,使得太阳能电池转换效率更高。通过所述方法改造后的管式扩散炉,改造简单,成本低,不易损耗,使用寿命长。而且,使用所述方法降低了易损耗的工艺气体使用量,从而降低了生产成本。

    一种磷扩散方法、P型电池制备方法及N型电池制备方法

    公开(公告)号:CN103346212A

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201310263648.3

    申请日:2013-06-27

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/223

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种磷扩散方法、P型电池制备方法以及N型电池制备方法,所述磷扩散方法包括:对扩散炉进行加热;当加热至三氯氧磷与氧气反应的温度后,通入设定流量的小氮以及氧气,并持续加热,其中,所述小氮为携带三氯氧磷的氮气,所述小氮的流量小于氧气的流量;当扩散内温度稳定在磷扩散要求的工艺温度后,使小氮的流量大于氧气的流量,开始磷扩散;预设时间的磷扩散后,进行退火处理。所述磷扩散方法在进行加热以及稳定炉温阶段,可去除硅片表面的金属离子,从而避免了进行磷扩散时,金属离子扩散入硅片内形成复合中心,采用所述磷扩散方法制备的P型电池以及N型电池具有较高的转换效率。

    一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法

    公开(公告)号:CN103436967B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201310348787.6

    申请日:2013-08-12

    IPC分类号: C30B31/16 C30B31/10

    摘要: 本发明公开了一种优化太阳能电池片管式扩散炉气流分布的方法,涉及单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的扩散工艺技术领域。所述方法通过在扩散炉内增加石英挡板,打乱了原有气流的分布,使工艺气体更加均匀的分布在炉管的各个温区,保证了太阳能电池片良好PN结的形成,使得太阳能电池转换效率更高。通过所述方法改造后的管式扩散炉,改造简单,成本低,不易损耗,使用寿命长。而且,使用所述方法降低了易损耗的工艺气体使用量,从而降低了生产成本。

    一种N型太阳能电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN103066164A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201310039810.3

    申请日:2013-01-31

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种N型太阳能电池及其制作方法,所述方法包括:提供一N型硅片,所述N型硅片的正面包括:正面栅线区域以及正面非栅线区域;在所述N型硅片的正面形成掩膜层,所述掩膜层能够阻止P型离子的扩散;去除所述正面栅线区域的掩膜层;对所述N型硅片的正面进行第一次P型掺杂,在所述正面栅线区域形成第一P型掺杂区;去除剩余的掩膜层,对所述正面进行第二次P型掺杂,在所述正面非栅线区域形成第二P型掺杂区,所述第二P型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一P型掺杂区的掺杂浓度;对所述N型硅片进行退火处理;在所述N型硅片上形成正面电极结构以及背面电极结构。该方法保证了硅片的机械强度,电池片不易破碎。

    N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法

    公开(公告)号:CN103456842B

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201310418670.0

    申请日:2013-09-13

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/66

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法。该测试方法包括:步骤S1:测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻;步骤S2:在基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺,得到选择性背场,并测试选择性背场的第二方块电阻;步骤S3:判断第二方块电阻的电阻值是否达到目标值,如果未达到目标值,更换新的基底并重复步骤S1,在步骤S1之后,调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度,并进行步骤S2;如果达到目标值,步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。本发明的测试方法确定的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺可以投入大规模的生产和使用。