发明授权
CN103227290B 一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法
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申请号: CN201310106694.2申请日: 2013-03-28
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公开(公告)号: CN103227290B公开(公告)日: 2015-12-23
- 发明人: 胡俊青 , 宋国胜 , 周颖 , 蒋扉然 , 安磊 , 李博 , 李春
- 申请人: 东华大学
- 申请人地址: 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 专利权人: 东华大学
- 当前专利权人: 东华大学
- 当前专利权人地址: 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 代理机构: 上海泰能知识产权代理事务所
- 代理商 黄志达
- 主分类号: H01L51/48
- IPC分类号: H01L51/48
摘要:
本发明涉及一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法,包括:将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合,升温至120~140℃,之后除水除氧;然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220~230℃,反应1~3h;最后自然冷却至室温,离心收集产物,得到CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶。本发明操作简单,一步获得CuInSe2/导电聚合物超结构杂化纳米晶,避免后续配体交换步骤,产物可直接制成“纳米晶墨水”,用于组装太阳能电池,容易规模化。
公开/授权文献
- CN103227290A 一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法 公开/授权日:2013-07-31
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