公开(公告)号：CN103227290A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310106694.2

申请日：2013-03-28

申请人： 东华大学

发明人： 胡俊青 ,  宋国胜 ,  周颖 ,  蒋扉然 ,  安磊 ,  李博 ,  李春

IPC分类号： H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549

摘要： 本发明涉及一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法，包括：将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合，升温至120～140℃，之后除水除氧；然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220～230℃，反应1～3h；最后自然冷却至室温，离心收集产物，得到CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶。本发明操作简单，一步获得CuInSe2/导电聚合物超结构杂化纳米晶，避免后续配体交换步骤，产物可直接制成“纳米晶墨水”，用于组装太阳能电池，容易规模化。

公开(公告)号：CN103227290B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310106694.2

申请日：2013-03-28

申请人： 东华大学

发明人： 胡俊青 ,  宋国胜 ,  周颖 ,  蒋扉然 ,  安磊 ,  李博 ,  李春

IPC分类号： H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549

摘要： 本发明涉及一种CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶的制备方法，包括：将高沸点有机溶剂和导电聚合物混合，升温至120～140℃，之后除水除氧；然后分别加入铜源、铟源和硒源并在氮气保护下升温至220～230℃，反应1～3h；最后自然冷却至室温，离心收集产物，得到CuInSe2/导电聚合物杂化纳米晶。本发明操作简单，一步获得CuInSe2/导电聚合物超结构杂化纳米晶，避免后续配体交换步骤，产物可直接制成“纳米晶墨水”，用于组装太阳能电池，容易规模化。