- 专利标题: 基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法
- 专利标题(英): Steady-state analysis-based method for measuring hemispherical total emissivity and heat conduction coefficient
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申请号: CN201310146537.4申请日: 2013-04-24
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公开(公告)号: CN103245692A公开(公告)日: 2013-08-14
- 发明人: 符泰然 , 汤龙生 , 段明皓 , 王忠波 , 谈鹏 , 周金帅 , 邓兴凯
- 申请人: 清华大学 , 北京机电工程研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学,北京机电工程研究所
- 当前专利权人: 清华大学,北京机电工程研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 韩国胜
- 主分类号: G01N25/20
- IPC分类号: G01N25/20
摘要:
本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法,其步骤包括:选取一个细长带状的导体材料样品,在真空环境下通电加热,选取中间的一段区域为测试区,根据稳态量热法稳态能量平衡方程;将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数;在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验,构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组;求出方程组中的待定参数,确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量,同时还可以获得导体材料的导热系数值,避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
公开/授权文献
- CN103245692B 基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法 公开/授权日:2015-02-18