-
公开(公告)号：CN103364434B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
-
公开(公告)号：CN103245692A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310146537.4
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
-
公开(公告)号：CN103267772A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
-
公开(公告)号：CN103245692B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310146537.4
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
-
公开(公告)号：CN103257154B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
-
公开(公告)号：CN103364434A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
-
公开(公告)号：CN103267772B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
-
公开(公告)号：CN103257154A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
-
公开(公告)号：CN103163117B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310095143.0
申请日：2013-03-22
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01N21/71
摘要： 本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧化金属样品的法向光谱发射率；S3、根据各氧化金属样品的法向发射率，建立光学常数数学模型，并以此计算出氧化金属样品的金属氧化层的光学常数。本发明通过采用高温光谱发射率测量实验台测量具有不同金属氧化层厚度的氧化金属样品的高温法向光谱发射率，可实现真空环境下的500℃以上高温氧化层光学常数测量，克服了传统测量技术易产生非真空环境下的样品氧化现象以及高温难于实现的技术局限性。
-
公开(公告)号：CN103217387A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310095119.7
申请日：2013-03-22
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01N21/25
摘要： 本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行至少两种不同探测方向角的定向光谱发射率测量；S3、基于辐射传递原理，建立氧化金属样品定向光谱发射率与探测方向角、氧化层厚度、氧化层光学常数及金属基底辐射特性的数学关系式；S4、基于所述数学关系式，通过不同探测方向角、不同厚度金属氧化层的氧化金属样品的定向光谱发射率测量数据，构造计算方程组，求解金属氧化层的高温光学常数。本发明可实现500℃以上高温氧化层光学常数测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.034 秒)
