-
公开(公告)号：CN103364434B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
-
公开(公告)号：CN103245692A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310146537.4
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
-
公开(公告)号：CN103245692B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310146537.4
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于稳态分析的半球向全发射率与导热系数的测量方法，其步骤包括：选取一个细长带状的导体材料样品，在真空环境下通电加热，选取中间的一段区域为测试区，根据稳态量热法稳态能量平衡方程；将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出不同稳态温度条件下的稳态能量平衡方程组；求出方程组中的待定参数，确定样品在不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明适用于导热系数未知情形下各种导体材料的半球向全发射率的测量，同时还可以获得导体材料的导热系数值，避免了未知导热系数给半球向全发射率测量带来的不确定性影响。
-
公开(公告)号：CN103267772A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
-
公开(公告)号：CN103267772B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
-
公开(公告)号：CN103257154A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
-
公开(公告)号：CN103257154B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
-
公开(公告)号：CN103364434A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310146530.2
申请日：2013-04-24
IPC分类号： G01N25/20
摘要： 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率的测量方法，其步骤包括：选取带状导体材料样品，在真空环境下加热样品，用辐射温度场测量设备获得加热稳定状态下的样品表面温度场分布；将所述样品沿其轴向等分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程；基于样品的表面温度场分布以及样品两端的电压和电流，计算出在加热稳定状态下样品的半球向发射率随温度的数值分布。本发明的这种方法适用于测量具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率，克服了现有稳态量热法对于样品具有温度均匀测试区要求的技术局限性，极大地减小了对样品尺寸规格的限制，简单可行。
-
公开(公告)号：CN103196840B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310095139.4
申请日：2013-03-22
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01N21/25 , G01N21/35 , G01N21/359
摘要： 本发明涉及材料的热物性参数测试技术领域，尤其涉及一种基于有效辐射的材料高温光谱发射率测试系统。该测试系统包括水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体以及辐射测量与标定单元，通过水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体和辐射测量与标定单元相结合进行材料光谱发射率的测试，在测试过程中无需参考黑体源，无需预先精确知晓材料温度，降低了测试难度，提高了测试精度，通过将测试样品放置于真空水冷室内避免了测试样品的高温氧化问题。
-
公开(公告)号：CN104076060A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410254098.3
申请日：2014-06-09
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01N25/00
摘要： 本发明公开一种光谱发射率的瞬态测试系统及方法，该系统包括：样品加热单元，用于对样品进行热辐射加热，所述样品为具有漫射表面的不透明材料；判断单元，用于判断所述样品加热单元的加热时间是否达到预设加热时长，若达到预设加热时长，则停止所述样品加热单元的加热，样品自然冷却降温，否则不停止；光谱辐射能量测量单元，用于对样品表面的多光谱辐射能量进行测量；光谱发射率反演单元，用于根据多光谱辐射能量反演样品的光谱发射率与温度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.036 秒)
