- 专利标题: 使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法
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申请号: CN201180055640.7申请日: 2011-10-07
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公开(公告)号: CN103250228B公开(公告)日: 2016-01-13
- 发明人: 彼得·F·库鲁尼西 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 奥利佛·V·那莫佛斯奇
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 12/901,198 2010.10.08 US
- 国际申请: PCT/US2011/055425 2011.10.07
- 国际公布: WO2012/048256 EN 2012.04.12
- 进入国家日期: 2013-05-17
- 主分类号: H01J37/317
- IPC分类号: H01J37/317 ; H01J37/02
摘要:
一种使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法。等离子体流体枪可包括具有一或多个孔的等离子体腔室(118)、能供应至少一种气体物质至等离子体腔室的气体源、设置于等离子体腔室里的单匝线圈(120)、及用来感应耦合射频电功率以激发等离子体腔室中至少一种气体物质以产生等离子体而耦合至线圈的电源。等离子体腔室的内表面可以是不含金属的材料,且等离子体不可暴露于等离子体腔室里任何含金属的组件。等离子体腔室可包括多个用来控制等离子体的磁铁(126)。出口孔(124)可提供于等离子体腔室中以使得产出等离子体的负电荷粒子能参与离子束,其中离子束为相关离子布植系统的部份。在实施例中,磁铁可被设置在孔的相对侧上,且被用于操纵等离子体的电子。
公开/授权文献
- CN103250228A 用浸润式低电感RF线圈和多尖端磁铁配置的感应耦合等离子体流体枪 公开/授权日:2013-08-14