发明公开
CN103266320A 一种抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法
- 专利标题(英): High temperature oxidation resistant film sensor and production method thereof
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申请号: CN201310207942.2申请日: 2013-05-30
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公开(公告)号: CN103266320A公开(公告)日: 2013-08-28
- 发明人: 蒋洪川 , 吴勐 , 陈寅之 , 蒋书文 , 刘兴钊 , 张万里
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 李明光
- 主分类号: C23C28/00
- IPC分类号: C23C28/00
摘要:
该发明属于抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法。其薄膜传感器包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY合金过渡层,过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si3N4隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层;其生产方法包括合金基板的表面处理,在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层,金属铝的析出,氧化或氮化处理,设置Al2O3/AlN陶瓷绝缘层,设置薄膜传感器功能层及其Si3N4隔离层,设置Al2O3保护层。该发明中设置的Si3N4隔离层能有效阻挡绝缘层及氧化铝保护层在高温环境下分解出的氧原子向功能层的扩散,提高传感器在高温高压工作环境下使用的稳定性和可靠性,为涡轮发动机的研究和设计提供相应的、更为精确的基础数据。
公开/授权文献
- CN103266320B 一种抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法 公开/授权日:2016-01-20
IPC分类: