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公开(公告)号：CN104789926B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN106370247A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610804131.4
申请日：2016-09-06
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
CPC分类号： G01F1/692 , B81C1/00015 , G01F1/684 , G01F1/6845
摘要： 一种基于聚合物的流量传感器及其制备方法，属于流量传感器技术领域。自下而上依次为支撑层、柔性衬底、薄膜电阻层、柔性覆盖层，所述薄膜电阻层包括加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻，所述支撑层面向柔性衬底的一面开有凹槽，凹槽位于加热电阻、下风向测量电阻和上风向测量电阻的正下方。本发明流量传感器采用柔性衬底作为载体，通过位于衬底下方的带凹槽的支撑层减小热传导，柔性衬底作为流量传感器的载体，可有效提高传感器表面薄膜结构的强度，不易破碎塌陷，且耐低温、耐酸，大大提高了流量传感器的适用范围；本发明流量传感器采用聚合物支撑层代替传统的硅基板，省略了氮化硅的生长与刻蚀等过程，减小了工艺难度和成本。
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公开(公告)号：CN104789926A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510104491.9
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种金属基薄膜传感器的制备方法，属于传感器生产技术及薄膜科学与技术领域。本发明在电子束蒸发沉积Al2O3绝缘层后，采用高压蒸汽封闭法处理Al2O3绝缘层，即将带Al2O3绝缘层的复合基板放入装有去离子水的反应釜内，在温度为100～200℃、反应釜内气压为1～10atm的条件下处理5～50min，取出并干燥，然后再进行薄膜传感器功能层及Al2O3保护层的制备。本发明通过对Al2O3绝缘层进行高压蒸汽封闭法处理，有效提高了Al2O3绝缘层的致密性和绝缘性能，有效防止了贵金属功能层与合金基板的导通现象，降低了期间的实效几率，有助于延长薄膜传感器的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104726862A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN104726862B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510104153.5
申请日：2015-03-10
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 本发明提出了一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法，属于薄膜传感器的设计及制备技术领域。所述带复合绝缘层的金属基薄膜传感器从下往上依次为合金基板、NiCrAlY合金过渡层、Al2O3热生长层、非晶YAlO过渡层、Al2O3绝缘层、薄膜传感器功能层、Al2O3保护层，其中，非晶YAlO过渡层为氧化钇和氧化铝组成的非晶YAlO薄膜，氧化钇与氧化铝的摩尔比为1：(1～20)。本发明的非晶YAlO过渡层能改善薄膜传感器绝缘层的附着力和绝缘性能，降低器件的失效几率，为薄膜传感器在高温恶劣的环境中工作提供了更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN107267944A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710542699.8
申请日：2017-07-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于薄膜电阻应变计技术领域，提供一种具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法，适用于原位温度不宜直接测得或者温度处于动态波动的高温环境。本发明半桥式电阻应变计，包括从下向上依次层叠的镍基合金基底、缓冲层、绝缘层、功能层及保护层，功能层由两个相同结构的图形化应变敏感单元构成，两个图形化应变敏感单元相互垂直设置、共同构成一个半桥式结构；将该薄膜半桥式电阻应变计接入惠斯通桥式电路中，能够有效的自补偿测试过程中由于温度波动(变化)引起的视应变误差以及敏感层电阻漂移所引起的漂移应变误差，从而提高应变计的测试精度和准确度；另外，其制备工艺简单、制备成本低、利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107201502A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710311816.X
申请日：2017-05-05
申请人： 电子科技大学
CPC分类号： Y02T50/6765 , C23C14/35 , C23C14/0664 , C23C14/08 , C23C14/185 , C23C14/5806 , G01M15/00
摘要： 本发明属于传感器技术领域，提供一种带自愈合复合防护层的高温薄膜传感器及其制备方法，用以实现传感器微型化、薄膜化应用；本发明薄膜传感器由自下而上依次设置的衬底、薄膜传感器敏感功能层和自愈合复合防护层所构成，其中，所述自愈合复合防护层的结构自下而上依次为YSiO/HfSiBCN周期性多层膜结构，防护层的最下层以及最上层均为YSiO低氧扩散系数层。本发明采用具有周期性多层膜结构的自愈型复合防护层，YSiO低氧扩散系数层和HfSiBCN自愈合层交替沉积形成“层层设防”的抗氧化防护体系，从而使薄膜传感器能够在600℃～1500℃高温条件下能够长时间工作，具有耐高温、耐腐蚀、抗氧化、响应迅速等优点。
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公开(公告)号：CN103921500A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410182300.6
申请日：2014-04-30
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种薄膜应变计及其制备方法，包括合金基板的表面处理，在合金基板上沉积NiCrAlY过渡层，Al2O3联接层的制备，设置Al2O3陶瓷绝缘层，设置薄膜应变计功能层和热氧化Al2O3保护层，最后设置Al2O3陶瓷保护层。本发明采用NiCrAlY合金为功能层，由于NiCrAlY合金薄膜表面经过析铝、氧化形成的Al2O3保护层更致密、稳定，对应变计功能层有更好的防护作用；而且功能层和过渡层均采用相同的NiCrAlY合金材料和处理工艺，具有相同的热膨胀系数，不会产生温度应力，在高温工作环境下不容易脱落，延长了薄膜应变计的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116734720A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310705088.6
申请日：2023-06-14
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于高温薄膜传感器技术领域，提供一种基于金属基的高温薄膜应变计及其制备方法，用以优化过渡绝缘层的制备工艺、降低制备温度。本发明中高温薄膜应变计包括从下往上依次设置的金属基底、复合氧化绝缘过渡层、Al2O3绝缘层、PdCr功能敏感层与Al2O3保护层，首先基于纯铝低温扩散原理在金属基底表面进行铝原子热扩散形成富铝层，再由富铝层进行热氧化形成α‑Al2O3过渡层，二者构成复合氧化绝缘过渡层；本发明降低了制备温度，防止合金基底在高温中受损，并增强金属基底与敏感功能层之间的绝缘性，进而扩大薄膜应变计的应用范围，也保证其在高温环境下运行的可靠性，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN109945999B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910197636.2
申请日：2019-03-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01L1/20
摘要： 一种柔性薄膜压力传感器的制备方法，属于压力传感器制备技术领域。包括：1)在柔性基板上形成电极层；2)将导电填料加入有机溶剂中，混合均匀，得到混合液A；然后，在混合液A中加入高分子基体材料和改性剂，混合均匀，得到浆料；3)搅拌，得到的复合浆料采用丝网印刷的方法涂覆于带电极层的柔性基板上，得到具有表面微结构的敏感层；4)将两个带敏感层和电极层的柔性基板相对放置，封装，得到所述柔性薄膜压力传感器。本发明得到的柔性薄膜压力传感器，灵敏度高(>5kPa‑1)，测量范围宽(50Pa～1.5MPa)，响应时间短(5～30ms)，在电子皮肤、人体生物信号检测、振动信号检测方面具有良好的应用前景。
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