用于传导垫的保护层及其形成方法

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专利标题： 用于传导垫的保护层及其形成方法
专利标题（英）： Protective layer for conductive pad and forming method thereof
申请号： CN201310065365.8

申请日： 2013-03-01
公开(公告)号： CN103296007A

公开(公告)日： 2013-09-11
发明人: R.恩格尔 , S.亨内克 , N.迈斯 , D.梅因霍尔德 , H-J.蒂默 , N.乌班斯基 , A.瓦特
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 王岳; 李浩
优先权： 13/410,751 2012.03.02 US
主分类号： H01L23/532
IPC分类号： H01L23/532 ; H01L21/768

摘要：

本发明涉及用于传导垫的保护层及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成金属线以及在金属线的顶部表面上方沉积合金化材料层。该方法进一步包括通过将合金化材料层与金属线组合而形成保护层。

摘要（英）：

The invention relates to a protective layer for a conductive pad and a forming method thereof. In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a metal line over a substrate and depositing an alloying material layer over a top surface of the metal line. The method further includes forming a protective layer by combining the alloying material layer with the metal line.

公开/授权文献

CN103296007B 用于传导垫的保护层及其形成方法公开/授权日：2016-01-27

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/52	.用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522	..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532	...按材料特点进行区分的