发明公开
- 专利标题: 一种沿面击穿型真空开关的触发电极
- 专利标题(英): Surface-breakdown-type vacuum switch trigger electrode
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申请号: CN201310172666.0申请日: 2013-05-10
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公开(公告)号: CN103296579A公开(公告)日: 2013-09-11
- 发明人: 李黎 , 鲍超斌 , 谢龙君 , 葛亚峰 , 林福昌
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 武汉智瑞捷电气技术有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 朱仁玲
- 主分类号: H01T2/02
- IPC分类号: H01T2/02 ; H01H33/664
摘要:
本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极,包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽,陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中,并与钼套圈紧密接触,用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘,金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中,用于保证钼环与金属触发极等电位,钼环设置于陶瓷管的上部,半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致,触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。
公开/授权文献
- CN103296579B 一种沿面击穿型真空开关的触发电极 公开/授权日:2015-05-20