公开(公告)号：CN103296579A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310172666.0

申请日：2013-05-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 李黎 ,  鲍超斌 ,  谢龙君 ,  葛亚峰 ,  林福昌

IPC分类号： H01T2/02 ,  H01H33/664

摘要： 本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极，包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触，用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘，金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中，用于保证钼环与金属触发极等电位，钼环设置于陶瓷管的上部，半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致，触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。

公开(公告)号：CN103296579B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310172666.0

申请日：2013-05-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 李黎 ,  鲍超斌 ,  谢龙君 ,  葛亚峰 ,  林福昌

IPC分类号： H01T2/02 ,  H01H33/664

摘要： 本发明公开了一种沿面击穿型真空开关的触发电极，包括低压极、钼套圈、陶瓷管、金属触发极、钼环、半导体涂敷层、触发极凹槽，陶瓷管设置于低压极及钼套圈中心处的贯穿孔中，并与钼套圈紧密接触，用于保证低压极与金属触发极之间的电气绝缘，金属触发极设置于陶瓷管及钼环中心处的贯穿孔中，用于保证钼环与金属触发极等电位，钼环设置于陶瓷管的上部，半导体涂覆层设置于钼套圈与钼环之间陶瓷管的管壁上,半导体涂覆层的方向与高压极施加的间隙电场方向一致，触发极凹槽设置于钼套圈、钼环、半导体涂覆层外围的低压极上。本发明能够解决现有触发电极存在的使用寿命短、耐高温性能不佳、容易烧蚀损坏的问题。

公开(公告)号：CN103456555A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310329692.X

申请日：2013-07-31

申请人： 华中科技大学

发明人： 李黎 ,  谢龙君 ,  鲍超斌 ,  林福昌

IPC分类号： H01H33/664

摘要： 本发明属于真空开关技术，具体涉及一种带挡弧盘的真空开关触发电极结构，它包括钼环、陶瓷套管、触发极、触发极凹槽、沿面绝缘层和触发挡弧盘；触发极轴对称形，其中部为圆台形状，上下两端为圆柱体，陶瓷套管的轴向贯穿孔靠近主间隙一端设置有渐开式斜槽，触发极、陶瓷套管和钼环由内至外同轴布置，触发极的圆台的侧面与陶瓷套管的贯穿孔渐开式斜槽相配合，触发极凹槽设置于钼环外围，形状为渐开式凹槽；沿面绝缘层设置于陶瓷套管位于触发极凹槽内的一端表面；触发挡弧盘设置于触发极位于主间隙一端的端面，以增大触发极靠近主间隙一端端面的径向面积。本发明增加了真空开关的可靠性，提高了真空开关的性能参数及使用寿命等。