发明公开
CN103337449A 硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
- 专利标题(英): Method for transplanting silicon nanowire array and preparing simple device thereof
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申请号: CN201310155802.5申请日: 2013-04-28
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公开(公告)号: CN103337449A公开(公告)日: 2013-10-02
- 发明人: 吴摞 , 滕大勇 , 李淑鑫 , 何微微 , 叶长辉
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 代理机构: 北京凯特来知识产权代理有限公司
- 代理商 郑立明; 赵镇勇
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法,利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属,通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列,高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构,再放入高温氨水溶液中,通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻,制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植;或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层,把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底,再覆盖另一层导电物质,制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单,成本低,可用于大规模生产。
公开/授权文献
- CN103337449B 硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法 公开/授权日:2016-01-06
IPC分类: