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公开(公告)号：CN103433503B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310362934.5
申请日：2013-08-19
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种超长银纳米线的制备方法，首先在加热温度150℃的条件下，向含有少量氯化铁FeCl3的乙二醇溶液中滴加硝酸银AgNO3与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液；滴加20分钟后停止滴加；保温30分钟后，再继续滴加硝酸银AgNO3与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液，使所述银纳米线在原来的基础上继续一维方向上生长；并在滴加20分钟后停止，间隔30分钟后，再滴加20分钟；停止滴加后，在150℃下保温指定时间，并进行自然降温，得到超长银纳米线。该方法制备成本低，可简单、批量的生产超长银纳米线，并可利用所制得的银纳米线通过合适的衬底制备高透明度、高导电性的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN103011181B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210543709.7
申请日：2012-12-14
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法，使用溶液沉积法，在硅片上制备一层多孔银膜，以此银膜作为催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻，在硅片上制备出硅纳米线阵列结构，再放入加有氨水的水溶液中，通过金属银催化氨水氧化及蚀刻，制备出与硅衬底连接力小的二氧化硅纳米线阵列结构，取出样品后在其上涂覆一层硅胶，凝固后揭下即可实现二氧化硅纳米线阵列从硅衬底上剥离，通过银胶即可把这层带有纳米线阵列的有机物薄膜与任何衬底相粘接，实现二氧化硅纳米线阵列的转移。这种方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103433503A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310362934.5
申请日：2013-08-19
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种超长银纳米线的制备方法，首先在加热温度150℃的条件下，向含有少量氯化铁FeCl3的乙二醇溶液中滴加硝酸银AgNO3与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液；滴加20分钟后停止滴加；保温30分钟后，再继续滴加硝酸银AgNO3与聚乙烯吡咯烷酮PVP的混合溶液，使所述银纳米线在原来的基础上继续一维方向上生长；并在滴加20分钟后停止，间隔30分钟后，再滴加20分钟；停止滴加后，在150℃下保温指定时间，并进行自然降温，得到超长银纳米线。该方法制备成本低，可简单、批量的生产超长银纳米线，并可利用所制得的银纳米线通过合适的衬底制备高透明度、高导电性的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN103337449B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310155802.5
申请日：2013-04-28
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻，制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植；或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层，把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底，再覆盖另一层导电物质，制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103011181A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210543709.7
申请日：2012-12-14
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法，使用溶液沉积法，在硅片上制备一层多孔银膜，以此银膜作为催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻，在硅片上制备出硅纳米线阵列结构，再放入加有氨水的水溶液中，通过金属银催化氨水氧化及蚀刻，制备出与硅衬底连接力小的二氧化硅纳米线阵列结构，取出样品后在其上涂覆一层硅胶，凝固后揭下即可实现二氧化硅纳米线阵列从硅衬底上剥离，通过银胶即可把这层带有纳米线阵列的有机物薄膜与任何衬底相粘接，实现二氧化硅纳米线阵列的转移。这种方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103337449A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310155802.5
申请日：2013-04-28
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻，制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植；或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层，把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底，再覆盖另一层导电物质，制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。
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