半导体结构及其制造方法

Invention Grant

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Patent Title: 半导体结构及其制造方法
Application No.: CN201210104325.5

Application Date: 2012-04-11
Publication No.: CN103367127B

Publication Date: 2015-10-21
Inventor: 陈士弘 , 吕函庭 , 谢光宇
Applicant: 旺宏电子股份有限公司
Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
Assignee: 旺宏电子股份有限公司
Current Assignee: 旺宏电子股份有限公司
Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
Agent 宋焰琴
Main IPC: H01L21/265
IPC: H01L21/265 ; H01L29/06

Abstract:

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、一叠层结构及一掺杂层；叠层结构形成于衬底上，其中叠层结构包括多条导电条纹及多条绝缘条纹，该多条导电条纹之一位于相邻二绝缘条纹之间，叠层结构具有一第一侧壁，第一侧壁的长边沿一通道方向延伸；掺杂层形成于第一侧壁中，掺杂层是由一离子注入作用于第一侧壁所形成，其中离子注入的一注入方向与第一侧壁夹一锐角。

Public/Granted literature

CN103367127A 半导体结构及其制造方法 Public/Granted day:2013-10-23

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263	.....带有高能辐射的（H01L21/261优先）
H01L21/265	......产生离子注入的