一种用于真空处理装置中在基片处理过程中确定基片温度的测量方法和装置，其中，待测基片放置于所述真空处理装置中的基片承载台上进行制程，其中，所述测量方法包括如下步骤：从所述基片承载台透过某一基片散发的辐射量中选取i个波长，其中，i为大于1的自然数；获得所选取的i个波长对应的至少i个辐射量；基于数学方程式E(λi)＝T(d)×M(λi，T)，根据所述i个辐射量和所述i个波长得出所述基片温度，其中，E(λi)为第i个波长λi所对应的第i个辐射量，T(d)为所述基片的透射率，其与所述基片上生长的薄膜的薄膜厚度d有关，M(λi,T)为黑体辐射方程，其与所述第i个波长λi和所述基片温度T有关。本发明提供的基片温度测量机制准确性高，可靠性好。