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公开(公告)号：CN107803071A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610812779.6
申请日：2016-09-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种排气系统及防止尘粒回流的装置及方法，通过实时监测真空泵的马达转速信号及过滤器上游及下游的气体压力，当测得的马达转速等于或低于设定的第一转速，并且测得的上下游压力的差值达到为当前工艺所设定的阈值时，控制阀门在马达转速下降到第二转速之前关闭。因此，本发明可以在故障导致真空泵马达转速降低或停转之前，先行关闭连通反应腔的排气管路，对尘粒回流进行阻断，有效避免反应腔内核心硬件因回流污染造成的损失。
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公开(公告)号：CN103411684B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310302419.8
申请日：2013-07-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司 , 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/52
CPC分类号： G01J5/0007
摘要： 本发明实施例提供一种测量反应腔室内薄膜温度的方法，所述方法包括：获取薄膜的探测区域内的采样点集合对波长为λ的光的反射率采样数据R以及所述采样点集合的热辐射值采样数据E；依据至少两个所述采样数据组的值计算获得第一修正因子α和第二修正因子γ，其中，0
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公开(公告)号：CN103411684A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310302419.8
申请日：2013-07-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司 , 北京智朗芯光科技有限公司
IPC分类号： G01J5/52
CPC分类号： G01J5/0007
摘要： 本发明实施例提供一种测量反应腔室内薄膜温度的方法，所述方法包括：获取薄膜的探测区域内的采样点集合对波长为λ的光的反射率采样数据R以及所述采样点集合的热辐射值采样数据E；依据至少两个所述采样数据组的值计算获得第一修正因子α和第二修正因子γ，其中，0
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公开(公告)号：CN107331595A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610277839.9
申请日：2016-04-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 本发明提供一种等离子处理装置的温度校准方法，等离子处理装置内包括加热器，加热器内包括多个可控独立加热区，所述温度校准方法包括：等离子处理步骤，点燃反应腔内的等离子体对基片进行处理，同时热成像装置停止工作；在温度校准步骤中，熄灭等离子体，热成像装置对整个基片上表面的温度进行探测并获得基片表面温度分布，温度控制器比较目标工艺温度分布数据与探测获得的基片表面温度分布数据，根据比较结果控制加热驱动电路，使得基片表面温度分布符合目标工艺温度分布。
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公开(公告)号：CN103628046A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210305989.8
申请日：2012-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。
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公开(公告)号：CN103389170A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210138239.6
申请日：2012-05-07
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/46 , G01K11/00 , G01K11/12
摘要： 一种用于真空处理装置中在基片处理过程中确定基片温度的测量方法和装置，其中，待测基片放置于所述真空处理装置中的基片承载台上进行制程，其中，所述测量方法包括如下步骤：从所述基片承载台透过某一基片散发的辐射量中选取i个波长，其中，i为大于1的自然数；获得所选取的i个波长对应的至少i个辐射量；基于数学方程式E(λi)＝T(d)×M(λi，T)，根据所述i个辐射量和所述i个波长得出所述基片温度，其中，E(λi)为第i个波长λi所对应的第i个辐射量，T(d)为所述基片的透射率，其与所述基片上生长的薄膜的薄膜厚度d有关，M(λi,T)为黑体辐射方程，其与所述第i个波长λi和所述基片温度T有关。本发明提供的基片温度测量机制准确性高，可靠性好。
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公开(公告)号：CN107805797A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610817234.4
申请日：2016-09-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： C23C16/52 , C30B25/16 , C30B28/14 , H01L21/67011
摘要： 本发明涉及一种过温保护装置及方法，适用于MOCVD设备，包含：信息采集装置，采集MOCVD设备的运行参数信息；信号转换装置，与信息采集装置连接，对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换；实时控制器，与信号转换装置连接，接收转换后的MOCVD设备的运行参数信息，检测其是否满足MOCVD设备的预设运行条件；连锁保护电路，与实时控制器连接，当实时控制器检测到MOCVD设备的当前运行参数不满足预设运行条件时，该连锁保护电路被触发，启动应急保护措施。本发明通过采集MOCVD设备的运行参数信息对于可能发生的温度失控等事故进行准确的预测和判断，及时启动有效的应急保护措施，确保设备不受损伤并且避免人员伤亡。
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公开(公告)号：CN103628046B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210305989.8
申请日：2012-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。
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公开(公告)号：CN103389170B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210138239.6
申请日：2012-05-07
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/46 , G01K11/00 , G01K11/12
摘要： 一种用于真空处理装置中在基片处理过程中确定基片温度的测量方法和装置，其中，待测基片放置于所述真空处理装置中的基片承载台上进行制程，其中，所述测量方法包括如下步骤：从所述基片承载台透过某一基片散发的辐射量中选取i个波长，其中，i为大于1的自然数；获得所选取的i个波长对应的至少i个辐射量；基于数学方程式E(λi)＝T(d)×M(λi，T)，根据所述i个辐射量和所述i个波长得出所述基片温度，其中，E(λi)为第i个波长λi所对应的第i个辐射量，T(d)为所述基片的透射率，其与所述基片上生长的薄膜的薄膜厚度d有关，M(λi,T)为黑体辐射方程，其与所述第i个波长λi和所述基片温度T有关。本发明提供的基片温度测量机制准确性高，可靠性好。
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公开(公告)号：CN107806834A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610817235.9
申请日：2016-09-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： G01B11/16
摘要： 本发明提供一种多波长光学测量装置及其测量方法，该多波长光学测量装置包含：激光发生组件、光学组件、反射光接收组件、以及控制组件，多波长光学测量装置可以产生两种以上的具有不同波长的激光，不同波长的激光的反射率不会同时小于设定阈值，多波长光学测量装置通过切换不同波长的激光作为入射光源，始终保证当前波长的激光的当前反射率大于设定阈值。本发明利用多种波长的激光交替切换进行光学测量，始终保证正在进行检测的激光的反射率具有较高值，由于确保了不同波长的激光的反射率不会同时接近0，从而确保了在薄膜生长的任何阶段，对翘曲率的测量都是有效的。
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