发明授权
- 专利标题: 一种晶体硅太阳电池及其制备方法
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申请号: CN201310310926.6申请日: 2013-07-23
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公开(公告)号: CN103413838B公开(公告)日: 2016-12-07
- 发明人: 毛卫平 , 谷士斌 , 田小让 , 王进 , 杨荣 , 孟原 , 郭铁 , 李立伟
- 申请人: 新奥光伏能源有限公司
- 申请人地址: 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号
- 专利权人: 新奥光伏能源有限公司
- 当前专利权人: 新奥光伏能源有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 杜秀科
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/068 ; H01L31/0224 ; H01L31/18
摘要:
本发明涉及太阳能光伏技术领域,公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池,包括第一导电类型晶体硅层;覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层;覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层;位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层;其中,所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm~10nm。在本发明技术方案中,遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化,又能传递载流子,因此降低了饱和暗电流密度,提高了太阳电池的性能。
公开/授权文献
- CN103413838A 一种晶体硅太阳电池及其制备方法 公开/授权日:2013-11-27