-
公开(公告)号：CN103413838A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310310926.6
申请日：2013-07-23
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/078 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。
-
公开(公告)号：CN103441182A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310310929.X
申请日：2013-07-23
申请人： 新奥光伏能源有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了太阳能电池的绒面处理方法和太阳能电池。所述绒面处理方法，包括：采用HCl和HF的混合水溶液对制绒后太阳能电池的绒面进行初步清洗，HCl和HF的混合水溶液中，HCl的质量分数为3%～7%，HF的质量分数为1%～2%；采用HNO3和HF的混合水溶液对初步清洗后的绒面进行刻蚀，HNO3和HF的混合水溶液中，HNO3的质量分数为20%～50%，HF的质量分数为0.5%～5%；采用H2SO4和H2O2的混合水溶液对刻蚀后的绒面进行氧化，形成氧化层，H2SO4和H2O2的混合水溶液中，H2SO4的质量分数为60%～80%，H2O2的质量分数为5%～12%。本发明绒面处理方法，提高了电池的性能。
-
公开(公告)号：CN103441182B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310310929.X
申请日：2013-07-23
申请人： 新奥光伏能源有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了太阳能电池的绒面处理方法和太阳能电池。所述绒面处理方法，包括：采用HCl和HF的混合水溶液对制绒后太阳能电池的绒面进行初步清洗，HCl和HF的混合水溶液中，HCl的质量分数为3%～7%，HF的质量分数为1%～2%；采用HNO3和HF的混合水溶液对初步清洗后的绒面进行刻蚀，HNO3和HF的混合水溶液中，HNO3的质量分数为20%～50%，HF的质量分数为0.5%～5%；采用H2SO4和H2O2的混合水溶液对刻蚀后的绒面进行氧化，形成氧化层，H2SO4和H2O2的混合水溶液中，H2SO4的质量分数为60%～80%，H2O2的质量分数为5%～12%。本发明绒面处理方法，提高了电池的性能。
-
公开(公告)号：CN104752551A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310726922.6
申请日：2013-12-25
申请人： 新奥光伏能源有限公司
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种太阳能硅片的清洗方法，包括对太阳能硅片进行RCA清洗，RCA清洗包括：对太阳能硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后，进行刻蚀处理；其中，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对太阳能硅片进行刻蚀处理。该清洗方法，在对太阳能硅片进行RCA清洗时，采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对经过预清洗后的太阳能硅片进行刻蚀处理，利用硅片与双氧水、氢氟酸和水的混合溶液的界面化学变化，促进对硅片表面进行微刻蚀，从而降低硅片表面的金属污染，进而降低硅片表面的金属原子与硅片中的少子的复合，提高太阳能硅片中少子的寿命，从而提高太阳能电池的效率。
-
公开(公告)号：CN104746146A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310728976.6
申请日：2013-12-25
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的制绒方法，包括：将单晶硅片放入预先制备的制绒溶液中；在设定的制绒时间内，对单晶硅片和/或制绒溶液进行间歇性晃动；将单晶硅片从制绒溶液中取出。本发明实施例提供的上述制绒方法，由于在制绒过程中采用了物理性的间歇性晃动的方式，因此，通过实验数据可知，本发明实施例提供的上述制绒方法，可以在采用现有制绒溶液的基础上，就可以获得绒面形貌稳定、外观整洁均匀和陷光性能良好的单晶硅片。
-
公开(公告)号：CN103413838B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201310310926.6
申请日：2013-07-23
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。
-
公开(公告)号：CN203760493U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201420191034.9
申请日：2014-04-18
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本实用新型公开了一种N型晶体硅电池，由于在N型晶体硅层的背光侧依次设置有隧穿钝化层、P+型晶体硅层和背电极，从而在N型晶体硅层的背光侧可以形成P+N型发射极以分离光生载流子，并且隧穿钝化层可以避免背电极与N型晶体硅层直接欧姆接触，因此可以保证N型晶体硅层的表面钝化，从而降低N型晶体硅电池在P+N结区的载流子复合；并且由于隧穿钝化层具有量子隧穿效应，因此还可以起到较好的隧穿效果以保证载流子的有效传输；同时由于在N型晶体硅层的入光侧设置有N+型晶体硅层，N+型晶体硅层与N型晶体硅层可以形成NN+结，从而可以进一步减少载流子的复合，促进多数载流子的分离与收集，最终可以提高电池的开路电压和转换效率。
-
公开(公告)号：CN203760486U
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201420190930.3
申请日：2014-04-18
申请人： 新奥光伏能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0216
摘要： 本实用新型公开了一种P型晶体硅电池，在P型晶体硅层的背光侧依次设置有隧穿钝化层、P+型晶体硅层和背电极，从而在P型晶体硅层的背光侧形成PP+型的背电场结构。在该背电场结构中，由于隧穿钝化层可以避免背电极与P型晶体硅层直接欧姆接触，因此该背电场结构可以保证P型晶体硅层的背光侧的表面钝化效果，从而可以降低载流子的复合速率；并且由于隧穿钝化层具有量子隧穿效应，且位于隧穿钝化层两侧的P型晶体硅层与P+型晶体硅层能够形成PP+高低结，因此该背电场结构还可以起到较好的隧穿效果以保证载流子的有效传输；同时P+型晶体硅层还可以与背电极形成良好的欧姆接触，最终提高上述P型晶体硅电池的开路电压和转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.037 秒)